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1. (WO2005069346) MICROSCOPE ELECTRONIQUE DE PROJECTION, PROCEDE D'OBSERVATION DE SURFACE DE SPECIMEN ET PROCEDE DE PRODUCTION DE MICRO-DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069346 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000625
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 13.01.2005
CIB :
H01J 37/29 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
26
Microscopes électroniques ou ioniques; Tubes à diffraction d'électrons ou d'ions
29
Microscopes à réflexion
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 〒1008331 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 Tokyo 2-3, Marunouchi 3-Chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331, JP (AllExceptUS)
株式会社荏原製作所 EBARA CORPORATION [JP/JP]; 〒1448510 東京都大田区羽田旭町11番1号 Tokyo 11-1, Haneda-Asahi-Cho, Ohta-ku, Tokyo 1448510, JP (AllExceptUS)
兼松 えりか KANEMATSU, Erika [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
兼松 えりか KANEMATSU, Erika; JP
Mandataire :
細江 利昭 HOSOE, Toshiaki; 〒2210822 神奈川県横浜市神奈川区西神奈川一丁目3番6号 コーポフジ605 Kanagawa Corpo Fuji 605, 3-6, Nishikanagawa 1-Chome, Kanagawa-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2210822, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00642214.01.2004JP
Titre (EN) PROJECTION ELECTRON MICROSCOPE, ELECTRON MICROSCOPE, SPECIMEN SURFACE OBSERVING METHOD, AND MICRO DEVICE PRODUCING METHOD
(FR) MICROSCOPE ELECTRONIQUE DE PROJECTION, PROCEDE D'OBSERVATION DE SURFACE DE SPECIMEN ET PROCEDE DE PRODUCTION DE MICRO-DISPOSITIF
(JA) 写像型電子顕微鏡、電子顕微鏡、試料面観察方法及びマイクロデバイスの製造方法
Abrégé :
(EN) An irradiating beam (4) emitted from a cathode (1) enters a deflector (3). The optical path of the irradiating beam (4) is changed by the deflector (3) when a voltage is applied to the deflector (3), and the irradiating beam (4) passes through a common electron optical system (7) and irradiates the surface of a specimen (6). The irradiating beam (4) passes straight through the deflector (3) when no voltage is applied to the deflector (3) and is absorbed by an electron absorbing plate (17). While passing through the common electron optical system (7), the irradiating beam (4) is decelerated, and the energy is decreased to about 0 [eV] when the irradiating beam (4) reaches the surface of the specimen (6). When the irradiating beam (4) strikes the specimen (6), reflection electrons (8) are produced from the specimen (6). The reflection electrons (8) pass through the common electron optical system (7) and through an imaging electron optical system (9) when no voltage is applied to the deflector (3), and is projected onto an MCP detector (10).
(FR) Un faisceau d'irradiation (4) émis par une cathode (1) entre dans un déflecteur (3). Le chemin optique du faisceau d'irradiation (4) est modifié par le déflecteur (3) lorsqu'on applique une tension sur ledit déflecteur (3), et le faisceau d'irradiation (4) traverse un système optique (7) électronique commun et irradie la surface d'un spécimen. Ledit faisceau d'irradiation (4) traverse directement le déflecteur (3) lorsqu'on n'applique pas de tension sur ledit déflecteur (3), et est absorbé par une plaque d'absorption (17) électronique. Pendant qu'il traverse le système optique (7) électronique commun, le faisceau d'irradiation (4) est décéléré, et l'énergie est limitée à environ 0 [eV] lorsque ledit faisceau d'irradiation (4) frappe le spécimen (6). Lorsque le faisceau d'irradiation (4) frappe le spécimen (6), des électrons réfléchissant (8) sont produits à partir de ce spécimen (6). Lesdits électrons réfléchissant (8) traversent le système optique (7) électronique commun et un système d'imagerie (9) optique électronique lorsqu'on n'applique pas de tension sur le déflecteur (3) et sont projetés sur un détecteur MCP (10).
(JA) not available
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060120144EP1720194JPWO2005069346US20070164217CN1910725