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1. (WO2005069313) FILM ISOLANT ET SON PROCEDE D'ELABORATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069313 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000007
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 05.01.2005
CIB :
C23C 26/00 (2006.01) ,C23C 30/00 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,H05K 1/03 (2006.01) ,H05K 3/38 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
26
Revêtements non prévus par les groupes C23C2/-C23C24/91
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
30
Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c. à d. non caractérisé par le procédé de revêtement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
314
Couches inorganiques
316
composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
1
Circuits imprimés
02
Détails
03
Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
K
CIRCUITS IMPRIMÉS; ENVELOPPES OU DÉTAILS DE RÉALISATION D'APPAREILS ÉLECTRIQUES; FABRICATION D'ENSEMBLES DE COMPOSANTS ÉLECTRIQUES
3
Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés
38
Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal
Déposants :
株式会社エス・エフ・シー SFC CO., LTD. [JP/JP]; 〒2310021 神奈川県横浜市中区日本大通11番地 Kanagawa 11, Nihon-ohdohri, Naka-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2310021, JP (AllExceptUS)
安部 日出夫 ABE, Hideo [JP/JP]; JP (UsOnly)
田中 康仁 TANAKA, Yasuhito [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
安部 日出夫 ABE, Hideo; JP
田中 康仁 TANAKA, Yasuhito; JP
Mandataire :
平木 祐輔 HIRAKI, Yusuke; 〒1050001 東京都港区虎ノ門4丁目3番20号 神谷町MTビル19階 Tokyo Kamiya-cho MT Bldg. 19F, 3-20, Toranomon 4-chome, Minato-ku Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité :
2004-03899615.01.2004JP
Titre (EN) INSULATION FILM AND METHOD OF FORMING INSULATION FILM
(FR) FILM ISOLANT ET SON PROCEDE D'ELABORATION
(JA) 絶縁膜および絶縁膜の形成方法
Abrégé :
(EN) Mainly an insulation film applicable as a coating to a glass member, a wiring arranged thereon, a metal, a ceramic, etc.; and a method of forming the insulation film. Known insulation films include a film obtained by coating a substrate with a glass paste containing lead and firing the same, an SiO2 film prepared by the vacuum film forming technology, etc. However, these films pose problems such that when the substrate and insulation film are constituted of different materials, stress would occur between the substrate and the insulation film due to a difference in thermal expansion coefficient, thereby causing after-cooling cracking, peel and warpage. The above problems have been solved by, for example, the use of, as an insulation film, a film of silicon resin containing at least either one of phenylheptamethylcyclotetrasiloxane and 2,6-cis-diphenylhexamethylcyclotetrasiloxane.
(FR) Film isolant pouvant être appliqué en tant que revêtement sur un élément vitreux, métallique ou céramique sur lequel est disposé un câblage et procédé servant à élaborer ce film isolant. Les films isolants connus consistent en un film obtenu par revêtement d'un substrat par une pâte de verre contenant du plomb et cuisson de cette dernière, un film de SiO2 préparé au moyen de la technologie sous vide, par exemple. Cependant ces films posent des problèmes, étant donné que quand le substrat et le film isolant sont constitués par des matériaux différents, une contrainte apparaît fréquemment entre le substrat et le film isolant sous l'effet de la différence du coefficient d'expansion thermique, ce qui provoque un fissurage après refroidissement, un décollement ou une détérioration. Dans le but de résoudre ces problèmes, on a, par exemple, utilisé, en tant que film isolant, un film de résine de silicium contenant au moins soit phénylheptaméthylcyclotétrasiloxane, soit 2,6-cis-diphénylhexaméthylcyclotétrasiloxane.
(JA) not available
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)