Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005069306) DISPOSITIFS MAGNETORESISTIFS REGLES PAR POLARISATION DESTINES A DES APPLICATIONS DE MEMOIRE A ACCES DIRECT MAGNETIQUE (MRAM)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069306 N° de la demande internationale : PCT/US2005/000699
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 10.01.2005
CIB :
G11C 11/16 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
Déposants :
HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07960, US
KATTI, Romney, R. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
KATTI, Romney, R.; US
Mandataire :
HOIRIIS, David ; Honeywell International Inc. 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07960, US
Données relatives à la priorité :
10/754,93510.01.2004US
Titre (EN) BIAS-ADJUSTED MAGNETORESISTIVE DEVICES FOR MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) APPLICATIONS
(FR) DISPOSITIFS MAGNETORESISTIFS REGLES PAR POLARISATION DESTINES A DES APPLICATIONS DE MEMOIRE A ACCES DIRECT MAGNETIQUE (MRAM)
Abrégé :
(EN) A method and apparatus are presented for shifting a hysteresis loop of a magnetoresistive device. For example, a method provides for applying a bias current to a word line of the magnetoresistive device during either a read sequence or a write sequence. The bias current is preferably configured to substantially center a hysteresis loop of the device without switching a binary state of the device.
(FR) La présente invention concerne un appareil et un procédé qui permet de changer une boucle d'hystérèse d'un dispositif magnétorésistif. Par exemple, un procédé permet d'appliquer un courant de polarisation à une ligne de mots d'un dispositif magnétorésistif soit pendant une séquence de lecture, soit pendant une séquence d'écriture. Ce courant de polarisation est de préférence configuré de façon à sensiblement centrer une boucle d'hystérèse de ce dispositif sans commutation d'un état binaire de ce dispositif.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)