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1. (WO2005069305) PSEUDO-JONCTION A EFFET TUNNEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069305 N° de la demande internationale : PCT/US2005/000700
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 10.01.2005
CIB :
G11C 11/16 (2006.01) ,G11C 11/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
16
utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
G PHYSIQUE
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ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
Déposants :
HONEYWELL INTERNATIONAL INC. [US/US]; 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07960, US (AllExceptUS)
KATTI, Romney, R. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
KATTI, Romney, R.; US
Mandataire :
HOIRIIS, David ; Honeywell International Inc. 101 Columbia Road P.O. Box 2245 Morristown, NJ 07960, US
Données relatives à la priorité :
10/754,88110.01.2004US
Titre (EN) PSEUDO TUNNEL JUNCTION
(FR) PSEUDO-JONCTION A EFFET TUNNEL
Abrégé :
(EN) The present invention provides for a tunneling magnetoresistive element and a method of reading a logical state of the element. An embodiment of the magnetoresistive element, for example, provides a tri-layer device having a storage layer, a sense layer and a barrier layer. The storage layer is a conducting, magnetic layer having a magnetization direction along an easy axis of the element. The storage layer is configured such that its magnetization direction will invert in response to an externally applied magnetic field of at least a first threshold strength. The binary state of the tunneling element is determinable from the magnetization direction of the storage layer. The sense layer is also a conducting, magnetic layer having a magnetization direction along the easy axis of the element. The sense layer is configured such that its magnetization direction will invert in response to an externally applied magnetic field of at least a second threshold strength. The sense layer is designed with a lower coercivity than the storage layer, thus the second threshold strength is less than the first threshold strength.
(FR) La présente invention concerne un élément magnétorésistif à effet tunnel et un procédé de lecture d'un état logique de l'élément. Dans un mode de réalisation, on décrit par exemple un dispositif à trois couches comprenant une couche de stockage, une couche de détection et une couche barrière. La couche de stockage est une couche magnétique conductrice présentant un sens de magnétisation le long d'un axe facile de l'élément. La couche de stockage est configurée de sorte que son sens de magnétisation s'inverse en réponse à un l'application externe d'un champ magnétique d'au moins une première puissance de seuil. L'état binaire de l'élément à effet tunnel peut être déterminé à partir du sens de magnétisation de la couche de stockage. La couche de détection est également une couche magnétique conductrice présentant un sens de magnétisation le long de l'axe facile de l'élément. La couche de détection est configurée de sorte que son sens de magnétisation s'inverse en réponse à l'application externe d'un champ magnétique d'au moins une seconde puissance de seuil. La couche de détection est conçue de façon à présenter une coercivité inférieure à celle de la couche de stockage, si bien que la seconde puissance de seuil est inférieure à la première puissance de seuil.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)