Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005069205) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/069205 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000095
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 07.01.2005
CIB :
G06K 19/00 (2006.01) ,H01L 21/50 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
K
RECONNAISSANCE DES DONNÉES; PRÉSENTATION DES DONNÉES; SUPPORTS D'ENREGISTREMENT; MANIPULATION DES SUPPORTS D'ENREGISTREMENT
19
Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
Déposants :
日立化成工業株式会社 HITACHI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒1630449 東京都新宿区西新宿二丁目1番1号 Tokyo 1-1, Nishishinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 1630449, JP (AllExceptUS)
田中 耕輔 TANAKA, Kousuke; null (UsOnly)
石坂 裕宣 ISHIZAKA, Hironori; null (UsOnly)
田崎 耕司 TASAKI, Kouji; null (UsOnly)
渋谷 正仁 SHIBUTANI, Masahito; null (UsOnly)
新沢 正久 SHINZAWA, Masahisa; null (UsOnly)
殿塚 秀彦 TONOTSUKA, Hidehiko; null (UsOnly)
岩田 克也 IWATA, Katsuya; null (UsOnly)
Inventeurs :
田中 耕輔 TANAKA, Kousuke; null
石坂 裕宣 ISHIZAKA, Hironori; null
田崎 耕司 TASAKI, Kouji; null
渋谷 正仁 SHIBUTANI, Masahito; null
新沢 正久 SHINZAWA, Masahisa; null
殿塚 秀彦 TONOTSUKA, Hidehiko; null
岩田 克也 IWATA, Katsuya; null
Mandataire :
三好 秀和 MIYOSHI, Hidekazu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門1丁目2番8号 虎ノ門琴平タワー Tokyo Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00831315.01.2004JP
Titre (EN) METHOD OF FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE
(JA) 電子装置の製造方法
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing an electronic device comprising IC elements (10), on a set of opposite faces of which a first electrode (12) and a second electrode (13) are formed, a first circuit layer (20) where an antenna circuit (21) having a slit (1) is formed, and a second circuit layer (30) for electrically connecting the IC elements (10) and the antenna circuit (21). The IC elements (10) are placed individually in cutouts (74), into each of which one IC element (10) can be inserted, the cutouts being formed in the outer circumference of a disk-like carrier (70). Thus, with the method, an electronic device that is inexpensive and is produced with high productivity, and has improved communication characteristics is produced.
(FR) Procédé de fabrication d'un dispositif électronique comprenant des éléments à circuits intégrés (10), sur un jeu de faces opposées à partir desquelles on réalise une première électrode (12) et une deuxième électrode (13), une première couche de circuit (20) intégrant un circuit d'antenne (21) muni d'une encoche (1), une deuxième couche de circuit (30) permettant de relier électriquement les éléments à circuits intégrés (10) et le circuit d'antenne (21). Les éléments à circuits intégrés (10) sont logés individuellement dans des découpes (74), pouvant chacune de contenir un élément à circuits intégrés (10), les découpes étant réalisées sur le pourtour d'un support discoïde (70). Ainsi ce procédé permet de fabriquer un dispositif électronique peu coûteux avec un rendement élevé, grâce à des caractéristiques de communication améliorées.
(JA)  第1の電極12及び第2の電極13が向かい合った1組の各々の面に形成されたIC素子10と、スリット1を有するアンテナ回路21が形成された第一の回路層20と、前記IC素子10と前記アンテナ回路21とを電気的に接続する第二の回路層30とを含む電子装置の製造方法において、前記IC素子10を1個挿入可能な切欠き74を外周に複数有する円盤状搬送器70の前記切欠き74に前記IC素子10を個々に収め、前記円盤状搬送器70の回転により前記IC素子10Bを搬送することにより、安価で生産性に優れかつ良好な通信特性を得ることができる電子装置の製造方法を提供する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060101789EP1713020JPWO2005069205US20070161154JP4386038CN1910595