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1. (WO2005068957) PROCEDE ET INSTRUMENT DE MESURE DE CONTRAINTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/068957 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/002918
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 05.03.2004
CIB :
G01L 1/24 (2006.01) ,G01L 5/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
L
MESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
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Mesure des forces ou des contraintes, en général
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en mesurant les variations des propriétés optiques du matériau quand il est soumis à une contrainte, p.ex. par l'analyse des contraintes par photo-élasticité
G PHYSIQUE
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MÉTROLOGIE; ESSAIS
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MESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
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Appareils ou méthodes pour la mesure des forces, p.ex. de la force produite par un choc, pour la mesure du travail, de la puissance mécanique ou du couple, adaptés à des buts particuliers
Déposants :
学校法人 東京電機大学 TOKYO DENKI UNIVERSITY [JP/JP]; 〒1018457 東京都千代田区神田錦町2-2 Tokyo 2-2, Kandanishiki-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1018457, JP (AllExceptUS)
新津 靖 NIITSU, Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
一瀬 謙輔 ICHINOSE, Kensuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
五味 健二 GOMI, Kenji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
新津 靖 NIITSU, Yasushi; JP
一瀬 謙輔 ICHINOSE, Kensuke; JP
五味 健二 GOMI, Kenji; JP
Mandataire :
八嶋 敬市 YASHIMA, Keiichi; 〒1070052 東京都港区赤坂1丁目1-17 細川ビル712 Tokyo Hosokawa Building Room No.712 1-17, Akasaka 1-chome Tokyo,1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00759915.01.2004JP
Titre (EN) STRESS MEASURING METHOD AND INSTRUMENT
(FR) PROCEDE ET INSTRUMENT DE MESURE DE CONTRAINTE
(JA) 応力測定方法とその装置
Abrégé :
(EN) A method and an instrument for measuring the stress of a sample semiconductor wafer in the form of an absolute value with high accuracy without rotating a sample or the entire optical system. A laser light R is subjected to photoelastic modulation in a PEM (6) to generate a double refraction phase difference and then it is passed through first and second quarter wavelength plates and detected. This reference signal data is stored in a signal processor. The laser light R of polarized wave subjected to photoelastic modulation in the PEM (6) and passed through the quarter wavelength plates has a double refraction phase difference and passes through a semiconductor wafer D having a residual stress. When it is passed through a test piece, direction of the stress of the test piece is detected when the angle between the laser light R and a linear polarization light is between 0-90˚. The transmitted electric signal is delivered to an analog/digital converter (16) and a signal is inputted to a signal processor thus generating transmission signal data. The signal processor reads out the stored reference signal data and the transmission signal data from which reference double refraction phase difference and the absolute values thereof are calculated.
(FR) La présente invention a trait à un procédé et un instrument pour la mesure de contrainte d'une tranche semi-conductrice échantillon sous la forme d'une valeur absolue avec une très grande précision sans faire tourner l'échantillon ou le système optique dans son ensemble. Une lumière laser R est soumis à une modulation photoélastique dans un PEM (6) pour la génération d'une différence de phase biréfringente et traverse ensuite de première et deuxième plaques de quart d'onde et est détectée. La lumière laser R d'onde polarisée soumise à la modulation photoélastique dans le PEM (6) et passée à travers les plaques de quart d'onde présente une différence de phase biréfringente et traverse une tranche semi-conductrice D présentant une contrainte résiduelle. Lors de son passage à travers une pièce d'essai, la direction de la contrainte de la pièce d'essai est détectée lorsque l'angle entre la lumière laser R et une lumière de polarisation linéaire est entre 0 et 90°. Le signal électrique transmis est délivré à un convertisseur analogique/numérique (16) et un signal est entré dans le processeur de signaux permettant ainsi la génération de données de signal de transmission. Le processeur de signaux effectue la lecture des données de signal de référence stockées et des données de signal de transmission à partir desquelles la différence de phase biréfringente et les valeurs absolues de celle-ci sont calculées.
(JA) 試料あるいは光学系全体を回転させずに、試料半導体ウエハの応力を高精度に絶対値として検出する。PEM6でレーザ光Rに光弾性変調を受けて、複屈折位相差を発生し、第1及び第2の1/4波長板を通過した後に検出する。この基準信号データは信号処理装置に記憶される。PEM6で光弾性変調を受けて1/4波長板を通過した偏光波のレーザ光Rは複屈折位相差があり、残留応力を有する半導体ウエハDを通過する。試験片に透過させた場合は、試験片の応力の方向は、直線偏光とのなす角が互いに0度と90度の時に検出する。この透過電気信号をアナログ/デジタル変換器16に送る。この信号を信号処理装置に入力して、そこで透過信号データを生成する。信号処理装置は、記憶された基準信号データとこの透過信号データとを読み出し、これらから、基準複屈折位相差と複屈折位相差の絶対値とを算出する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
US20070273865