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1. (WO2005068572) POLISSAGE CHIMIQUE-MECANIQUE DE METAUX SOUS FORME OXYDEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/068572 N° de la demande internationale : PCT/US2005/000140
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 05.01.2005
CIB :
C09G 1/02 (2006.01) ,H01L 21/321 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
09
COLORANTS; PEINTURES; PRODUITS À POLIR; RÉSINES NATURELLES; ADHÉSIFS; COMPOSITIONS NON PRÉVUES AILLEURS; UTILISATIONS DE SUBSTANCES, NON PRÉVUES AILLEURS
G
COMPOSITIONS DE PRODUITS À POLIR AUTRES QUE LE VERNIS À L'ALCOOL; FARTS
1
Compositions de produits à polir
02
contenant des abrasifs ou agents de polissage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3205
Dépôt de couches non isolantes, p.ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantes; Post-traitement de ces couches
321
Post-traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768
Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
Déposants :
CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION [US/US]; 870 North Commons Drive Aurora, IL 60504, US
Inventeurs :
DE REGE THESAURO, Francesco; US
BRUSIC, Vlasta; US
BAYER, Benjamin, P.; US
Mandataire :
WESEMAN, Steven ; Associate General Counsel, Intellectual Property Cabot Microelectronics Corporation 870 North Commons Drive Aurora, IL 60504, US
Données relatives à la priorité :
10/753,13807.01.2004US
Titre (EN) CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING OF METALS IN AN OXIDIZED FORM
(FR) POLISSAGE CHIMIQUE-MECANIQUE DE METAUX SOUS FORME OXYDEE
Abrégé :
(EN) The invention provides a method for polishing a substrate comprising a metal in an oxidized form, the method comprising the steps of: (a) providing a substrate comprising a metal in an oxidized form, (b) contacting a portion of the substrate with a chemical-mechanical polishing system comprising: (i) a polishing component, (ii) a reducing agent, and (iii) a liquid carrier, and (c) abrading at least a portion of the metal in an oxidized form to polish the substrate. The reducing agent can be selected from the group consisting of 3-hydroxy-4-pyrones, &agr;-hydroxy-ϝ-butyrolactones, ascorbic acid, borane, borohydrides, dialkylamine boranes, formaldehyde, formic acid, hydrogen, hydroquinones, hydroxylamine, hypophosphorous acid, phosphorous acid, a metal or metal ions in an oxidation state having a standard redox potential that is less than the standard redox potential of the metal in an oxidized form, trihydroxybenzenes, solvated electrons, sulfurous acid, salts thereof, and mixtures thereof.
(FR) L'invention concerne un procédé de polissage d'un substrat comprenant un métal sous forme oxydée, procédé caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : (a) préparation d'un substrat comprenant un métal sous forme oxydée, (b) mise en contact d'une partie du substrat avec un système de polissage chimique-mécanique comprenant : (i) un composant de polissage, (ii) un agent réducteur, et (iii) un support solide, et (c) abrasion d'au moins une partie du métal sous forme oxydée, en vue de polir le substrat. L'agent réducteur peut être choisi dans le groupe comprenant les composés suivants : 3-hydroxy-4-pyrones, $g(a)-hydroxy-$g(g)-butyrolactones, acide ascorbique, borane, borohydrures, dialkylamine boranes, formaldéhyde, acide formique, hydrogène, hydroquinones, hydroxylamine, acide hypophosphoreux, acide phosphoreux, métaux ou ions métaux dans un état d'oxydation ayant un potentiel redox standard qui est inférieur au potentiel redox standard du métal sous forme oxydée, trihydroxybenzènes, électrons solvatés, acide sulfureux, sels et mélanges de ces composés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060123437EP1709130JP2007520062CN1906262