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PATENTSCOPE

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1. (WO2005068395) ARTICLES EN CARBURE DE SILICIUM DE PURETE ELEVEE ET PROCEDES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2005/068395 N° de la demande internationale : PCT/US2005/000183
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 05.01.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 30.11.2005
CIB :
C04B 35/565 (2006.01) ,C04B 38/00 (2006.01) ,C30B 25/12 (2006.01) ,C30B 31/14 (2006.01) ,H01L 21/673 (2006.01)
Déposants : NARENDAR, Yeshwanth[IN/US]; US (UsOnly)
BUCKLEY, Richard, F.[US/US]; US (UsOnly)
SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.[US/US]; One New Bond Street Worcester, MA 01615-0138, US (AllExceptUS)
Inventeurs : NARENDAR, Yeshwanth; US
BUCKLEY, Richard, F.; US
Mandataire : DOMINGO, Elias; Lowrie, Lando & Anastasi, LLP One Main Street, Cambridge, MA 02142, US
BERGER, Emily; Lowrie, Lando & Anastasi, LLP One Main Street, Cambridge, MA 02142, US
Données relatives à la priorité :
10/752,43406.01.2004US
Titre (EN) HIGH PURITY SILICON CARBIDE ARTICLES AND METHODS
(FR) ARTICLES EN CARBURE DE SILICIUM DE PURETE ELEVEE ET PROCEDES
Abrégé : front page image
(EN) A high purity ceramic article having a typical pore size of at least about 15 µm and an active impurity concentration of less than about 400 ppm can be prepared by molding ceramic powder, sintering to vaporize any active impurity components, washing to dissolve any remaining active impurity components with an acid solution, and oxidizing to remove any residual active impurity components.
(FR) Cette invention se rapporte à un article en céramique de pureté élevée ayant une porométrie typique d'au moins environ 15 µm et une concentration d'impuretés actives inférieure à environ 400 ppm, cet article pouvant être préparé par moulage de poudre céramique, par frittage destiné à vaporiser tous composants d'impuretés actives, par lavage destiné à dissoudre tous composants d'impuretés actives restant avec une solution acide, et par oxydation destinée à éliminer tous composants d'impuretés actives résiduels.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)