Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005067663) DISPOSITIFS ET PROCEDES DE DETECTION D'EXTREMITE OPTIQUE AU COURS DU POLISSAGE DE PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/067663 N° de la demande internationale : PCT/US2005/000614
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 07.01.2005
CIB :
B24B 7/22 (2006.01) ,B24B 49/00 (2006.01) ,B24B 49/12 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
7
Machines ou dispositifs pour meuler les surfaces planes des pièces, y compris ceux pour le polissage des surfaces planes en verre; Accessoires à cet effet
20
caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière des objets non métalliques à meuler
22
pour meuler de la matière inorganique, p.ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
49
Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
24
MEULAGE; POLISSAGE
B
MACHINES, DISPOSITIFS OU PROCÉDÉS POUR MEULER OU POUR POLIR; DRESSAGE OU REMISE EN ÉTAT DES SURFACES ABRASIVES; ALIMENTATION DES MACHINES EN MATÉRIAUX DE MEULAGE, DE POLISSAGE OU DE RODAGE
49
Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage
12
impliquant des dispositifs optiques
Déposants :
STRASBAUGH [US/US]; 825 Buckley Road San Luis Obispo, CA 93401, US (AllExceptUS)
DALRYMPLE, Alice, M. [US/US]; US (UsOnly)
HORRELL, Robert, J. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
DALRYMPLE, Alice, M.; US
HORRELL, Robert, J.; US
Mandataire :
CROCKETT, K., David; Crockett & Crockett 24012 Calle De la Plata Suite 400 Laguna Hills, CA 92653, US
Données relatives à la priorité :
10/754,36008.01.2004US
Titre (EN) DEVICES AND METHODS FOR OPTICAL ENDPOINT DETECTION DURING SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING
(FR) DISPOSITIFS ET PROCEDES DE DETECTION D'EXTREMITE OPTIQUE AU COURS DU POLISSAGE DE PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) A method of measuring a change in thickness of a layer of material disposed on a wafer while polishing the layer. Light is directed at the surface of the wafer from an optical sensor disposed within the polishing pad. The intensity of the reflected light is measured by a light detector also disposed in the polishing pad. The intensity of the reflected light varies sinusoidally with the change in layer thickness as the layer is removed. By measuring the absolute thickness of the layer at two or more points along the sinusoidal curve, the sinusoidal curve is calibrated so that a portion of the wavelength of the curve corresponds to a change in thickness of the layer.
(FR) L'invention concerne un procédé de mesure d'un changement au niveau de l'épaisseur d'une couche de matière déposée sur une plaquette au cours du polissage de ladite couche. Une lumière est dirigée sur la surface de la plaquette à partir d'un capteur optique disposé dans le tampon à polir. L'intensité de la lumière réfléchie est mesurée par un détecteur de lumière également disposé dans le tampon à polir. L'intensité de la lumière réfléchie varie de manière sinusoïdale avec le changement au niveau de l'épaisseur de la couche à mesure que la couche est éliminée. Par mesure de l'épaisseur absolue de la couche au niveau d'au moins deux points le long de la courbe sinusoïdale, la courbe sinusoïdale est étalonnée, de sorte qu'une partie de la longueur d'onde de la courbe correspond à un changement au niveau de l'épaisseur de la couche.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060108763JP2007518279CN1929952