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1. (WO2005067625) CORRECTION DE L'ECHAUFFEMENT SPONTANE D'UN CIRCUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/067625    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/000379
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 05.01.2005
CIB :
G05F 1/10 (2006.01)
Déposants : ANALOG DEVICES, INC. [US/US]; One Technology Way, Norwood, MA 02062-9106 (US) (Tous Sauf US).
DI TOMMASO, Vincenzo [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DI TOMMASO, Vincenzo; (US)
Mandataire : MAKUCH, Joseph, S.; Marger Johnson & McCollom, P.C., 210 SW Morrison Street, Suite 400, Portland, OR 97204 (US)
Données relatives à la priorité :
60/534,883 05.01.2004 US
10/761,927 20.01.2004 US
Titre (EN) CORRECTION FOR CIRCUIT SELF-HEATING
(FR) CORRECTION DE L'ECHAUFFEMENT SPONTANE D'UN CIRCUIT
Abrégé : front page image
(EN)Methods and apparatus for correcting for circuit self-heating involve the use of relative thermal resistances. The thermal resistance of a transistor may be set to a specific value with respect to the thermal resistance of another transistor. The relative values may be set to a precise ratio so as to accurately cancel self-heating effects due to variations in supply voltage.
(FR)La présente invention concerne des procédés et un dispositif permettant de corriger l'échauffement spontané d'un circuit ; lesquels procédés consistent à utiliser des résistances thermiques relatives. La résistance thermique d'un transistor peut être fixée à une valeur spécifique par rapport à la résistance thermique d'un autre transistor. Les valeurs relatives peuvent être fixées à un rapport précis de manière à annuler, avec précision, les effets de l'échauffement spontané engendré par des variations de la tension d'alimentation..
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)