Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005067530) APPAREILS D'ETIREMENT DES CRISTAUX HAUTE PRESSION ET PROCEDES ASSOCIES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/067530 N° de la demande internationale : PCT/US2005/001268
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 12.01.2005
CIB :
B29C 43/02 (2006.01) ,C30B 1/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29
TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
C
FAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
43
Moulage par pressage, c.à d. en appliquant une pression externe pour faire couler la matière à mouler; Appareils à cet effet
02
pour la fabrication d'objets de longueur définie, c. à d. d'objets séparés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
1
Croissance des monocristaux à partir de l'état solide
Déposants :
SUNG, Chien-Min [US/--]; TW
Inventeurs :
SUNG, Chien-Min; TW
Mandataire :
WESTERN, Wayne, M. ; Thorpe North & Western LLP P.O. Box 1219 Sandy, UT 84091-1219, US
Données relatives à la priorité :
10/757,71513.01.2004US
10/775,04206.02.2004US
Titre (EN) HIGH PRESSURE CRYSTAL GROWTH APPARATUSES AND ASSOCIATED METHODS
(FR) APPAREILS D'ETIREMENT DES CRISTAUX HAUTE PRESSION ET PROCEDES ASSOCIES
Abrégé :
(EN) An improved high pressure apparatus (10) can include a plurality of complementary die segments (12, 14). The die segments can have inner surfaces (16) which are shaped to form a die chamber (20) upon assembly of the die segments (12, 14). A pair of anvils (70, 72) can be oriented such that an anvil is at each end of the die chamber (20). To prevent the die segments (12, 14) from being forced apart during movement of the anvils (70, 72), force members can be connected to the die segments (12, 14). The force members (21, 23) can apply discrete forces to the die segments (12, 14) sufficient to retain the die segments in substantially fixed positions relative to each other during application of force by the pair of anvils (70, 72). Using such a high pressure apparatus can achieve pressures as high as 10 GPa with improved useful die life and larger reaction volumes.
(FR) L'invention porte sur un appareil amélioré haute pression (10) pouvant comprendre une pluralité de segments matriciels complémentaires (12, 14). Les segments matriciels peuvent présenter des surfaces internes (16) configurées de façon à former une chambre matricielle (20) lors de l'assemblage desdits segments (12, 14). Une paire d'enclumes (70, 72) peut être orientée de sorte qu'une enclume se troue à chaque extrémité de la chambre (20). Afin d'empêcher les segments (12, 14) de s'écarter l'un de l'autre sous l'exercice d'une force pendant le déplacement des enclumes (70, 72), des éléments de force (21, 23) peuvent être raccordés aux segments. Les éléments de force (21, 23) peuvent appliquer sur les segments (12, 14) des forces séparées (17, 19) suffisantes pour retenir les segments dans des positions sensiblement fixes l'un par rapport à l'autre lors de l'application d'une force par la paire d'enclumes (70, 72). L'utilisation de cet appareil haute pression permet d'obtenir des pressions équivalentes à 10 GPa avec une plus grande durée de vie de matrice et des volumes de réaction plus importants. De plus, la synthèse haute pression de divers cristaux, tels que le diamant, cBN et autre, peut être réalisée par des procédés à gradient de température selon lesquels l'ensemble de réaction (210) est orienté sensiblement perpendiculairement par rapport à la gravité (224) lors de l'application d'une pression élevée. L'ensemble de réaction (210) ainsi orienté peut éviter les effets néfastes de la gravité sur le catalyseur fondu, à savoir la convection, ce qui augmente les volumes disponibles pour l'étirement des cristaux de haute qualité. Plusieurs ensembles de réaction peuvent orientés en série ou parallèle, chaque ensemble possédant une ou plusieurs cellules appropriées à l'étirement des cristaux de haute qualité. Le modèle de matrice fendue unique de cette invention permet d'obtenir des résultats particulièrement efficaces et de réguler les conditions de température et d'étirement pour des cristaux individuels.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
ZA2006/05699EP1704033EP1722353US20060032431CN1929982CN1973982