Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005067468) TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A PUITS QUANTIQUE AU NITRURE III
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/067468 N° de la demande internationale : PCT/US2004/036585
Date de publication : 28.07.2005 Date de dépôt international : 03.11.2004
CIB :
H01L 31/072 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
06
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
072
les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
Déposants :
FAN, Zhaoyang [CN/US]; US (AllExceptUS)
LI, Jing [CN/US]; US (AllExceptUS)
JIANG, Hongxing [US/US]; US (AllExceptUS)
LIN, Jingyu [US/US]; US (AllExceptUS)
Inventeurs :
FAN, Zhaoyang; US
LI, Jing; US
JIANG, Hongxing; US
LIN, Jingyu; US
Mandataire :
HONEYMAN, Marshall; Shook, Hardy & Bacon L.L.P. 2555 Grand Boulevard Kansas City, MO 64108-2613 Overland Park, KS 66211, US
Données relatives à la priorité :
10/741,26819.12.2003US
Titre (EN) III-NITRIDIE QUANTUM-WELL FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A PUITS QUANTIQUE AU NITRURE III
Abrégé :
(EN) A transistor with improved device characteristics includes a substrate, a first buffer layer deposited on the substrate, a highly resistive epilayer deposited on the buffer layer, a second epilayer deposited on the highly resistive epilayer, a channel layer deposited on the second epilayer, an AlGaN alloy epilayer deposited on the channel layer, and source, gate, and drain connections deposited on the AlGaN alloy epilayer. The highly resistive epilayer may include AlGaN, InAlGaN, AlBN, or AlN compositions. The channel layer may include InGaN, graded InGaN, multilayers of InGaN and GaN, or GaN.
(FR) L'invention concerne un transistor possédant des caractéristiques de dispositif améliorées. Ledit transistor comprend un substrat, une première couche tampon déposée sur le substrat, une épicouche extrêmement résistante déposée sur la couche tampon, une seconde épicouche déposée sur ladite épicouche extrêmement résistante, une couche de canal déposée sur la seconde épicouche, une épicouche d'alliage d'AlGaN déposée sur la couche de canal, et des connexions de source, de grille et de drain déposées sur l'épicouche d'alliage d'AlGaN. Ladite épicouche extrêmement résistante peut contenir des compositions d'AlGaN, d'InAlGaN, d'AlBN, ou d'AlN. La couche de canal peut renfermer InGaN, InGaN calibré, des multicouches d'InGaN et de GaN ou de GaN.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)