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1. (WO2005067067) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/067067 N° de la demande internationale : PCT/JP2005/000044
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 05.01.2005
CIB :
H01L 33/20 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36
caractérisés par les électrodes
38
ayant une forme particulière
Déposants :
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
丸田 秀昭 MARUTA, Hideaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
丸田 秀昭 MARUTA, Hideaki; JP
Mandataire :
岡田賢治 OKADA, Kenji; 〒1050021 東京都港区東新橋一丁目3番9号楠本第6ビル8階アイル知財事務所 Tokyo I'LL, Setoguchi Bldg. 3rd FL. 12-5, Nishi-shimbashi 2-chome Minato-ku, Tokyo 105-0003, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00237707.01.2004JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子
Abrégé :
(EN) Since the refractive index of a material forming a light emitting element including a group III nitride compound semiconductor is substantially higher than that of air, the conventional semiconductor light emitting element has a construction that in order for light emitted from an active layer to goes out into air, an incident angle from a semiconductor layer into air must be up to a critical angle, and, if an incident angle is over a critical angle, the light cannot go out into air and is totally reflected. The inventive semiconductor light emitting element comprising a substrate, and at least a first semiconductor layer, an active layer and a second semiconductor layer that are sequentially provided on the substrate, wherein the second semiconductor layer has polarity different from that of the first semiconductor layer, and a total area of the first semiconductor layer, the active layer and the second semiconductor layer at the exposed side surface of the active layer is at least 5% of the exposed upper-surface area on the second semiconductor layer side.
(FR) Etant donné que l'indice de réfraction d'un matériau formant un élément électroluminescent contenant un semi-conducteur à base d'un composé de nitrure du groupe III est sensiblement plus élevé que celui de l'air, la structure d'un élément électroluminescent à semi-conducteur classique est telle que, pour que la lumière émise par une couche active soit diffusée dans l'air, l'angle d'incidence entre une couche semi-conductrice et l'air ne doit pas dépasser un angle critique, et si l'angle d'incidence est supérieur à un angle critique, la lumière ne peut pas être diffusée dans l'air et est intégralement réfléchie. L'élément électroluminescent à semi-conducteur selon l'invention comprend un substrat et au moins une première couche semi-conductrice, une couche active et une seconde couche semi-conductrice présentant une polarité différente de celle de la première couche semi-conductrice. La surface totale constituée par la première couche semi-conductrice, la couche active et la seconde couche semi-conductrice au niveau de la surface latérale exposée de la couche active représente au moins 5 % de la zone de surface supérieure exposée du côté de la seconde couche semi-conductrice.
(JA) III族窒化物系化合物半導体を始め発光素子を形成する材料の屈折率は、空気に比較してかなり高いため、従来の半導体発光素子では、その構造上、活性層で発光した光が空気中に出射するには、半導体層から空気中への入射角が臨界角以下でなければならず、入射角が臨界角を超えると空気中に出射できなくなり、全反射する。上記課題を解決するために、本発明は、基板と、該基板上に、少なくとも、第1半導体層と、活性層と、第2半導体層と、を順に備える半導体発光素子であって、該第2半導体層は該第1半導体層と異なった極性を持ち、かつ該第2半導体層の側の露出した上面の面積に対して、該活性層の露出している側面の該第1半導体層、該活性層および該第2半導体層の面積の合計が5%以上である半導体発光素子である。  
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060107568US20070170415CN1906775CN101246944