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1. (WO2005067026) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR AVEC GACHETTE METALLIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/067026    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/043362
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 23.12.2004
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 29/49 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, CA 95052 (US) (Tous Sauf US).
DOCZY, Mark, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
BRASK, Justin, K. [CA/US]; (US) (US Seulement).
KAVALIEROS, Jack [US/US]; (US) (US Seulement).
SHAH, Uday [US/US]; (US) (US Seulement).
BARNS, Chris, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAU, Robert, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DOCZY, Mark, L.; (US).
BRASK, Justin, K.; (US).
KAVALIEROS, Jack; (US).
SHAH, Uday; (US).
BARNS, Chris, E.; (US).
CHAU, Robert, S.; (US)
Mandataire : VINCENT, Lester, J.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP, 12400 Wilshire Boulevard, 7th Floor, Los Angeles, CA 90025 (US)
Données relatives à la priorité :
10/748,545 29.12.2003 US
Titre (EN) A METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR DEVICE THAT INCLUDES A METAL GATE ELECTRODE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR AVEC GACHETTE METALLIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a hard mask and an etch stop layer on a patterned sacrificial gate electrode layer. After first and second spacers are formed on opposite sides of that patterned sacrificial layer, the patterned sacrificial layer is removed to generate a trench that is positioned between the first and second spacers. At least part of the trench is filled with metal layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur. Ce procédé consiste à former une réserve dure et une couche d'arrêt de gravure sur une couche de gâchette sacrificielle à motifs. Il consiste ensuite à former des première et seconde entretoises de part et d'autre de la couche sacrificielles à motifs, puis à ôter cette dernière pour créer une tranchée entre les première et seconde entretoises. Au moins une partie de cette tranchée est comblée avec un niveau de métallisation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)