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1. (WO2005067023) APPAREIL DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/067023    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/019418
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 24.12.2004
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
NOZAWA, Toshihisa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORITA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YUASA, Tamaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOTANI, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NOZAWA, Toshihisa; (JP).
MORITA, Osamu; (JP).
YUASA, Tamaki; (JP).
KOTANI, Koji; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-004483 09.01.2004 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)A substrate processing apparatus for processing a substrate used for manufacturing a semiconductor device. In the apparatus, a mist channel (5) extending through a part of a processing vessel (2) to be cooled is formed, and a mist generator (64) for generating mist and a gas supply source (62) for supplying a carrier gas to transport the generated mist. The temperature of the portion to be cooled is measured by means of a temperature sensor (49). When the measured temperature exceeds a predetermined temperature, a mist of e.g. water is made to flow through the mist channel, and the processing vessel is cooled by the heat of evaporation. Therefore, the temperature of the processing vessel quickly lowers, and a plasma processing can be conducted in a stable atmosphere.
(FR)L'invention concerne un appareil de traitement d'un substrat destiné à traiter un substrat utilisé pour fabriquer un dispositif à semiconducteur. L'appareil présente un canal à vapeur (5) s'étendant à travers une partie d'une cuve de traitement (2) à refroidir; un générateur de vapeur (64) servant à générer de la vapeur; et une source d'alimentation en gaz (62) qui apporte un gaz vecteur destiné à transporter la vapeur générée. La température de la partie à refroidir est mesurée au moyen d'un capteur de température (49). Lorsque la température mesurée dépasse un seul préétabli, de la vapeur, d'eau par exemple, est amenée à s'écouler par le canal à vapeur, et la cuve de traitement est refroidie par la chaleur d'évaporation. Ainsi, la température de la cuve de traitement baisse rapidement, et un traitement au plasma peut être réalisé dans une atmosphère stable.
(JA) 半導体装置製造用の基板を処理するための基板処理装置において、冷却対象である処理容器(2)の一部を貫通してミスト流路(5)を形成する。ミストを発生させるためのミスト発生器(64)と、発生したミストを搬送するためのキャリアガスを供給するガス供給源(62)とを設ける。冷却対象となる部位の温度を温度センサ(49)で検出する。し、検出温度が所定温度を越えたときにミスト流路に例えば水のミストを流入させ、その気化熱によって処理容器を冷却する。このため速やかに処理容器の温度が降温し、安定した温度雰囲気でプラズマ処理することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)