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1. (WO2005067019) SYSTEME ET PROCEDE POUR LA GRAVURE SELECTIVE DE NITRURE DE SILICIUM LORS DU TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/067019 N° de la demande internationale : PCT/US2004/043887
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 30.12.2004
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
31
pour former des couches isolantes en surface, p.ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiques; Post-traitement de ces couches; Emploi de matériaux spécifiés pour ces couches
3105
Post-traitement
311
Gravure des couches isolantes
Déposants :
AKRION, LLC [US/US]; 6330 Hedgewood Drive Allentown, PA 18106, US (AllExceptUS)
KASHKOUSH, Ismail [US/US]; US (UsOnly)
CHEN, Gim-Syang [US/US]; US (UsOnly)
NOVAK, Richard [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
KASHKOUSH, Ismail; US
CHEN, Gim-Syang; US
NOVAK, Richard; US
Mandataire :
BELLES, Brian, L.; Cozen O'Connor 1900 Market Street Philadelphia, PA 19103, US
Données relatives à la priorité :
60/533,09730.12.2003US
Titre (EN) SYSTEM AND METHOD FOR SELECTIVE ETCHING OF SILICON NITRIDE DURING SUBSTRATE PROCESSING
(FR) SYSTEME ET PROCEDE POUR LA GRAVURE SELECTIVE DE NITRURE DE SILICIUM LORS DU TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Abrégé :
(EN) A system (fig.5) and methods for selectively etching silicon nitride in the presence of silicon oxide that provide high selectivity while stabilizing silicon oxide etch rates. The invention comprises a processing chamber (10), dispense lines (20, 21, 22), feed lines (30, 31, 32), a recirculation line (40), a process controller (200), a concentration sensor (50), a particle counter (55), and a bleed line (90). The invention dynamically controls the concentration ratio of the components of the etchant being used and/or dynamically controls the particle count within the etchant during the processing of the at least one substrate. As a result etchant bath life is increased and etching process parameters are more tightly controlled.
(FR) La présente invention a trait à un système (fig. 5) et des procédés pour la gravure sélective de nitrure de silicium en présence d'oxyde de silicium assurant une sélectivité élevée tout en stabilisant les taux de gravure de l'oxyde de silicium. Le système comporte une enceinte de traitement (10), des lignes de distribution (20, 21, 22), des lignes d'alimentation (30, 31, 32), une ligne de recyclage (40), un contrôleur de procédé (200), un capteur de concentration (50), un compteur de particules (55), et une ligne de purge (90). L'invention assure le contrôle dynamique du rapport de concentration des constituants de l'agent de gravure en cours d'utilisation et/ou le contrôle dynamique du comptage de particules au sein de l'agent de gravure lors du traitement d'au moins un substrat. Par conséquent, la durée de vie de la solution de gravure est accrue et les paramètres du procédé de gravure sont soumis à un contrôle plus strict.
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020070004609EP1704586JP2007517413US20080035609CN1914710