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1. (WO2005067018) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/067018 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/019662
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 21.12.2004
CIB :
H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
Déposants :
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 〒6158585 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 Kyoto 21, Saiin Mizosaki-cho Ukyo-ku, Kyoto-shi Kyoto 6158585, JP (AllExceptUS)
三浦 峰生 MIURA, Mineo [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
三浦 峰生 MIURA, Mineo; JP
Mandataire :
稲岡 耕作 INAOKA, Kosaku; 〒5410054 大阪府大阪市中央区南本町2丁目6番12号 サンマリオンNBFタワー21階 あい特許事務所内 Osaka c/o Ai Association of Patent and Trademark Attorneys Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410054, JP
Données relatives à la priorité :
2004-00225907.01.2004JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) A method for producing a semiconductor device employing an SiC semiconductor substrate (1) in which the SiC semiconductor substrate (1) is mounted on a susceptor (23), a C heating member (3) made of carbon is arranged on the surface of the SiC semiconductor substrate (1), and the susceptor (23) and the C heating member (3) are heated at high temperature, thus forming an impurity region in the surface of the SiC semiconductor substrate (1) by annealing.
(FR) L'invention porte sur un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteurs utilisant un substrat à semi-conducteurs SiC (1) qui est monté sur un suscepteur (23), un élément chauffant C (3) constitué de carbone est disposé sur la surface du substrat à semi-conducteurs SiC (1), et le suscepteur (23) et l'élément chauffant C (3) sont chauffés à haute température, ce qui forme une région d'impuretés dans la surface du substrat à semi-conducteurs SiC (1) par recuit.
(JA) SiC(1)半導体基板を用いた半導体装置の製造工程において、サセプタ(23)上にSiC半導体基板(1)を載置し、そのSiC半導体基板(1)の表面上にカーボン製のC発熱部材(3)を配置して、サセプタ(23)およびC発熱部材(3)を高温に発熱させることによって、SiC半導体基板(1)の表面に不純物領域が形成するためのアニール処理を達成する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060103944US20070167026CN1902734CN101414550