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1. (WO2005067005) CHAMBRE DE TRAITEMENT A FAIBLE VOLUME AVEC SURFACES INTERNES CHAUFFEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/067005 N° de la demande internationale : PCT/US2004/040865
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 06.12.2004
CIB :
H01L 21/00 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US
Inventeurs :
BAILEY, Andrew, D., III; US
NI, Tuqiang; US
Mandataire :
LEAVELL, George, B.; Martine & Penilla, LLP 710 Lakeway Drive Suite 200 Sunnyvale, CA 94085, US
Données relatives à la priorité :
10/744,35522.12.2003US
Titre (EN) SMALL VOLUME PROCESS CHAMBER WITH HOT INNER SURFACES
(FR) CHAMBRE DE TRAITEMENT A FAIBLE VOLUME AVEC SURFACES INTERNES CHAUFFEES
Abrégé :
(EN) A system and method of processing a substrate including loading a substrate into a plasma chamber and setting a pressure of the plasma chamber to a pre-determined pressure set point. Several inner surfaces that define a plasma zone are heated to a processing temperature of greater than about 200 degree C. A process gas is injected into the plasma zone to form a plasma and the substrate is processed.
(FR) L'invention concerne un procédé et un système pour traiter un substrat. Le procédé consiste à charger le substrat dans une chambre de plasma et à régler une pression de la chambre de plasma à un point de pression fixe. Plusieurs surfaces internes qui définissent une zone de plasma sont chauffées à une température de traitement égale ou supérieure à environ 200 °C. Un gaz de traitement est injecté dans la zone de plasma de manière à former un plasma, et le substrat est traité.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060115898IL176269EP1697973JP2007520059CN1898774