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1. (WO2005066997) DOUBLE ADAPTATION DE FREQUENCES RF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/066997 N° de la demande internationale : PCT/US2004/039081
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 19.11.2004
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37
Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32
Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
Déposants :
APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
SHANNON, Steven, C. [US/US]; US (UsOnly)
HOLLAND, John [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
SHANNON, Steven, C.; US
HOLLAND, John; US
Mandataire :
TABOADA, Alan; Moser IP Law Group 1040 Broad Street 2nd Floor Shrewsbury, New Jersey 07702, US
Données relatives à la priorité :
10/823,37112.04.2004US
60/530,80718.12.2003US
Titre (EN) DUAL FREQUENCY RF MATCH
(FR) DOUBLE ADAPTATION DE FREQUENCES RF
Abrégé :
(EN) A dual frequency matching circuit (108) for plasma enhanced semiconductor processing chambers having dual frequency cathodes is provided. The matching circuit includes two matching circuits (202-204) with variable shunts (C1, C4) combined to a common output (212). The matching circuit balances the load of the independent RF sources to that of the plasma in the processing chamber during operation.
(FR) L'invention concerne un double circuit d'adaptation en fréquence pour chambres de traitement au plasma de semi-conducteurs, présentant des cathodes à deux fréquences. Le circuit d'adaptation comprend deux circuits d'adaptation en fréquence présentant des shunts variables, raccordés à une sortie commune. Le circuit d'adaptation équilibre la charge des sources RF indépendantes avec celle du plasma dans la chambre de traitement pendant l'utilisation de cette dernière.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020070017989KR1020080086556JP2007515761CN1898767