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1. (WO2005066975) REDONDANCE DE COLONNE SOUPLE ET A SURFACE RENTABLE DESTINEE A DES MEMOIRES NON VOLATILES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/066975 N° de la demande internationale : PCT/US2004/042990
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 20.12.2004
CIB :
G11C 29/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
29
Vérification du fonctionnement correct des mémoires; Test de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
Déposants :
SANDISK CORPORATION [US/US]; 140 Caspian Court Sunnyvale, CA 94089, US (AllExceptUS)
CERNEA, Raul-Adrian [US/US]; US (UsOnly)
LI, Yan [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
CERNEA, Raul-Adrian; US
LI, Yan; US
Mandataire :
PARSONS, Gerald, P. ; Parsons Hsue & de Runtz LLP 595 Market Street Suite 1900 San Francisco, CA 94105, US
Données relatives à la priorité :
10/751,09731.12.2003US
Titre (EN) FLEXIBLE AND AREA EFFICIENT COLUMN REDUNDANCY FOR NON-VOLATILE MEMORIES
(FR) REDONDANCE DE COLONNE SOUPLE ET A SURFACE RENTABLE DESTINEE A DES MEMOIRES NON VOLATILES
Abrégé :
(EN) The present invention presents a non-volatile memory wherein bad columns in the array of memory cells can be removed. According to another aspect of the present invention, substitute redundant columns can replace the removed columns. Both of these processes are performed on the memory in a manner that is externally transparent and, consequently, need not be managed externally by the host or controller to which the memory is attached. An inventory of the bad columns can be maintained on the memory. At power up, the list of bad columns is used to fuse out the bad columns. The memory may also contain a number of redundant columns that can be used to replace the bad columns.
(FR) L'invention concerne une mémoire non volatile dans laquelle des mauvaises colonnes dans le réseau de cellules mémoire peuvent être éliminées. Dans un autre mode de réalisation, des colonnes redondantes de substitution peuvent remplacer les colonnes éliminées. Ces deux procédés sont effectués sur la mémoire d'une manière qui est transparente pour l'extérieur et, par conséquent, ne doivent pas être gérés à l'extérieur par l'hôte ou unité de commande auquel la mémoire est fixée. Un inventaire des mauvaises colonnes peut être mis à jour sur la mémoire. Lors de la mise sous tension, la liste des mauvaises colonnes est utilisée pour éliminer celles-ci par fusion. La mémoire peut également comprendre un certain nombre de colonnes redondantes pouvant être utilisées pour remplacer les mauvaises colonnes.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060127014EP1700314JP2007517353US20050141387US20070103976CN1902713