Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005066790) GESTION DE SYSTEMES DE MEMOIRE NON VOLATILE COMPRENANT DE GRANDS BLOCS D'EFFACEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/066790 N° de la demande internationale : PCT/US2004/042644
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 15.12.2004
CIB :
G06F 12/02 (2006.01) ,G11C 16/06 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
12
Accès, adressage ou affectation dans des systèmes ou des architectures de mémoire
02
Adressage ou affectation; Réadressage
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
Déposants :
SANDISK CORPORATION [US/US]; 140 Caspian Court Sunnyvale, California 94089, US (AllExceptUS)
CONLEY, Kevin M. [US/US]; US (UsOnly)
GONZALEZ, Carlos J. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
CONLEY, Kevin M.; US
GONZALEZ, Carlos J.; US
Mandataire :
PARSONS, Gerald, P. ; Parsons Hsue & de Runtz LLP 595 Market Street Suite 1900 San Francisco, CA 94105, US
Données relatives à la priorité :
10/749,83130.12.2003US
Titre (EN) MANAGEMENT OF NON-VOLATILE MEMORY SYSTEMS HAVING LARGE ERASE BLOCKS
(FR) GESTION DE SYSTEMES DE MEMOIRE NON VOLATILE COMPRENANT DE GRANDS BLOCS D'EFFACEMENT
Abrégé :
(EN) A non-volatile memory system of a type having blocks of memory cells erased together and which are programmable from an erased state in units of a large number of pages per block. If the data of only a few pages of a block are to be updated, the updated pages are written into another block provided for this purpose. Updated pages from multiple blocks are programmed into this other block in an order that does not necessarily correspond with their original address offsets. The valid original and updated data are then combined at a later time, when doing so does not impact on the performance of the memory. If the data of a large number of pages of a block are to be updated, however, the updated pages are written into an unused erased block and the unchanged pages are also written to the same unused block. By handling the updating of a few pages differently, memory performance is improved when small updates are being made. The memory controller can dynamically create and operate these other blocks in response to usage by the host of the memory system.
(FR) L'invention concerne un système de mémoire non volatile d'un type dans lequel des blocs de cellules mémoire sont effacés ensemble et peuvent être programmés à l'état effacé en unités d'un grand nombre de pages par bloc. Si les données de seulement quelques pages d'un bloc doivent être actualisées, les pages actualisées sont écrites dans un autre bloc fourni à cet effet. Les pages actualisées de multiples blocs sont programmées dans cet autre bloc dans un ordre qui ne correspond pas nécessairement à leurs décalages d'adresse originaux. Les données originales et actualisées valables sont alors combinées à un moment ultérieur, lorsque cela n'aura pas d'influence sur les performances de la mémoire. Néanmoins, si les données d'un grand nombre de pages d'un bloc doivent être actualisées, les pages actualisées sont écrites dans un bloc effacé non utilisé et les pages non modifiées sont également écrites dans le même bloc non utilisé. En gérant différemment l'actualisation de quelques pages seulement, on améliore la performance de la mémoire lorsque de petites actualisations doivent être effectuées. Le contrôleur mémoire peut créer ces autres blocs de manière dynamique et les commander en réponse à l'utilisation faite par l'hôte du système mémoire.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060130081EP1700219JP2007517319US20050144358CN1902599