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1. (WO2005065431) POINTES DE MICROSONDE ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/065431    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/000301
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 03.01.2005
CIB :
G01R 31/02 (2006.01)
Déposants : MICROFABRICA INC. [US/US]; 1103 West Isabel Street, Burbank, CA 91506 (US) (Tous Sauf US).
KIM, Kieun [US/US]; (US) (US Seulement).
COHEN, Adam, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
LARSEN, Willa, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Richard, T. [US/US]; (US) (US Seulement).
KUMAR, Ananda, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
KRUGLICK, Ezekiel, J., J. [US/US]; (US) (US Seulement).
ARAT, Vacit [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Gang [CN/US]; (US) (US Seulement).
LOCKARD, Michael, S. [US/US]; (US) (US Seulement).
BANG, Christopher, A. [US/US]; (US) (US Seulement).
THOMPSON, Jeffrey, A. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Kieun; (US).
COHEN, Adam, L.; (US).
LARSEN, Willa, M.; (US).
CHEN, Richard, T.; (US).
KUMAR, Ananda, H.; (US).
KRUGLICK, Ezekiel, J., J.; (US).
ARAT, Vacit; (US).
ZHANG, Gang; (US).
LOCKARD, Michael, S.; (US).
BANG, Christopher, A.; (US).
THOMPSON, Jeffrey, A.; (US)
Mandataire : SMALLEY, Dennis, R.; 1103 West Isabel Street, Burbank, CA 91506 (US)
Données relatives à la priorité :
60/533,975 31.12.2003 US
60/533,933 31.12.2003 US
60/536,865 15.01.2004 US
60/540,510 29.01.2004 US
60/540,511 29.01.2004 US
10/772,943 04.02.2004 US
10/949,738 24.09.2004 US
Titre (EN) MICROPROBE TIPS AND METHODS FOR MAKING
(FR) POINTES DE MICROSONDE ET LEURS PROCEDES DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present invention are directed to the formation of microprobe tips elements (164) having a variety of configurations. In some embodiments tips (164) are formed from the same building material as the probes themselves, while in other embodiments the tips (164) may be formed from a different material and/or may include a coating material (508). In some embodiments, the tips (164) are formed before the main portions of the probes and the tips (164) are formed in proximity to or in contact with a temporary substrate (152). Probe tip patterning may occur in a variety of different ways, including, for example, via molding in patterned holes that have been isotropically or anisotropically etched silicon, via molding in voids formed in over exposed photoresist, via molding in voids in a sacrificial material that have formed as a result of the sacrificial material mushrooming over carefully sized and located regions of dielectric material, via isotropic etching of a the tip material around carefully sized placed etching shields, via hot pressing, and the like.
(FR)La présente invention, dans certains modes de réalisation, a trait à la formation d'éléments de pointe de microsonde présentant diverses configurations. Dans certains modes de réalisation des pointes sont réalisées à partir du même matériau de fabrication que les sondes elles-mêmes, tandis que dans d'autres modes de réalisation, les pointes peuvent être réalisées en un matériau différent et/ou peuvent inclure un matériau de revêtement. Dans certains modes de réalisation, les pointes sont formées avant les portions principales des sondes et les pointes sont formées à proximité ou en contact avec un substrat temporaire. La configuration de pointes de sonde peut s'effectuer de diverses manières, comprenant, par exemple, par le moulage dans des trous à configuration qui ont été soumis à une gravure isotrope ou anisotrope de silicium, par moulage dans des vides formés sur une photorésine surexposée, par moulage dans des vides dans un matériau sacrificiel qui ont été formés en conséquence de la prolifération du matériau sacrificiel sur des zones soigneusement dimensionnées et situées de matériau diélectrique, par la gravure isotrope du matériau de pointe autour d'écrans de gravure soigneusement dimensionnées et situées, par le pressage à chaud, et analogues.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)