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1. (WO2005065402) OXYDES, NITRURES ET PHOSPHURES DE TERRES RARES, ET ALLIAGES TERNAIRES AU SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/065402    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/044030
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 28.12.2004
CIB :
H01L 31/0264 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : TRANSLUCENT PHOTONICS, INC. [US/US]; 952 Commercial Street, Palo alto, CA 94303 (US) (Tous Sauf US).
ATANACKOVIC, Petar, B. [AU/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ATANACKOVIC, Petar, B.; (US)
Mandataire : DAVIS, Paul; Heller Ehrman White & McAuliffe LLP, 275 Middlefield Road, Menlo Park, CA 94025-3506 (US)
Données relatives à la priorité :
60/533,378 29.12.2003 US
Titre (EN) RARE EARTH-OXIDES, RARE EARTH-NITRIDES, RARE EARTH-PHOSPHIDES AND TERNARY ALLOYS WITH SILICON
(FR) OXYDES, NITRURES ET PHOSPHURES DE TERRES RARES, ET ALLIAGES TERNAIRES AU SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Atomic layer epitaxy (ALE) is applied to the fabrication of new forms of rare-earth oxides, rare-earth nitrides and rare-earth phosphides. Further, ternary compounds composed of binary (rare-earth oxides, rare-earth nitrides and rare-earth phosphides) mixed with silicon and or germanium to form compound semiconductors of the formula RE-(O, N, P)-(Si,Ge) are also disclosed, where RE = at least one selection from group of rare-earth metals, O = oxygen, N = nitrogen, P = phosphorus, Si = silicon and Ge = germanium. The presented ALE growth technique and material system can be applied to silicon electronics, opto-electronic, magneto-electronics and magneto-optics devices.
(FR)L'invention porte sur l'utilisation de formation par épitaxie de couches atomiques (ALE) pour élaborer de nouvelles formes d'oxydes, de nitrures et de phosphures de terres rares, et sur l'utilisation de composés ternaires d'oxydes, mélanges de composés binaires d'oxydes; nitrures et phosphures de terres rares, et de silicium ou de germanium, pour produire des composés semi-conducteurs de formule RE-(O, N, P)-(Si,Ge) dans laquelle: RE = au moins une sélection du groupe des métaux rares, O = oxygène, N = azote, P = phosphore, Si = silicium, et Ge = germanium. La technique de croissance ALE, et le système matériel, présentés peuvent s'appliquer à des dispositifs électronique au silicium, à des dispositifs optoélectroniques, à des dispositifs magnétoélectroniques, et à des dispositifs magnétooptiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)