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1. (WO2005065357) OXYDES, NITRURES ET PHOSPHURES DES TERRES RARES ET ALLIAGES TERNAIRES A SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/065357    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/043873
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 28.12.2004
CIB :
C01F 17/00 (2006.01)
Déposants : TRANSLUCENT, INC. [US/US]; 952 Commercial Street, Palo Alto, CA 94303 (US) (Tous Sauf US).
ATANACKOVIC, Petar, B. [AU/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ATANACKOVIC, Petar, B.; (US)
Mandataire : DAVIS, Paul; Heller Ehrman White & McAuliffe LLP, 275 Middlefield Road, Menlo Park, CA 94025-3506 (US)
Données relatives à la priorité :
60/533,378 29.12.2003 US
Titre (EN) RARE EARTH-OXIDES, RARE-EARTH-NITRIDES, RARE EARTH-PHOSPHIDES AND TERNARY ALLOYS WITH SILICON
(FR) OXYDES, NITRURES ET PHOSPHURES DES TERRES RARES ET ALLIAGES TERNAIRES A SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Atomic layer epitaxy (ALE) is applied to the fabrication of new forms of rare-earth oxides, rare-earth nitrides and rare-earth phosphides. Further, ternary compounds composed of binary (rare-earth oxides, rare-earth nitrides and rare-earth phosphides) mixed with silicon and or germanium to form compound semiconductors of the formula RE-(O, N, P)-(Si,Ge) are also disclosed, where RE= at least one selection from group of rare-earth metals, O=oxygen, N=nitrogen, P=phosphorus, Si=silicon and Ge=germanium. The presented ALE growth technique and material system can be applied to silicon electronics, opto-electronic, magneto-electronics and magneto-optics devices.
(FR)L'invention concerne une épitaxie par couche atomique (ALE) appliquée à la fabrication de nouvelles formes d'oxydes, de nitrures et de phosphures des terres rares. L'invention concerne également des composés ternaires comprenant des formes d'oxydes, de nitrures et de phosphures des terres rares binaires mélangés avec un silicium ou un germanium afin de former des semi-conducteurs représentés par la formule RE-(O, N, P)-(Si,Ge), RE= étant au moins sélectionné dans un groupe constitué par des métaux des terres rares, O=oxygène, N=azote, P=phosphore, Si=silicium et Ge=germanium. La technique de croissance ALE représentée et un système d matériau peuvent s'appliquer à des substances électroniques de silicium, et des dispositifs optoélectroniques, magnéto-électroniques et magnéto-optique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)