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1. (WO2005065143) PLAQUETTES A BASE DE SILICIUM SUR ISOLANT ISOTOPIQUEMENT PURES ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/065143 N° de la demande internationale : PCT/US2004/041344
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 22.11.2004
CIB :
H01L 29/04 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 31/0392 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
04
caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
036
caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins
0392
comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
Déposants :
ISONICS CORPORATION [US/US]; 5906 McIntyre Street Golden, CO 80403, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
BURDEN, Stephen, J.; US
Mandataire :
TRAVER, Robert, D. ; Sheridan Ross P.C. 1560 Broadway Suite 1200 Denver, CO 80202-5141, US
Données relatives à la priorité :
10/746,42624.12.2003US
Titre (EN) ISOTOPICALLY PURE SILICON-ON-INSULATOR WAFERS AND METHOD OF MAKING SAME
(FR) PLAQUETTES A BASE DE SILICIUM SUR ISOLANT ISOTOPIQUEMENT PURES ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A semiconductor wafer structure having a device layer, an insulating layer, and a substrate which is capable of supporting increased semiconductor device densities or increased semiconductor device power. One or more of the layers includes an isotopically enriched semiconductor material having a higher thermal conductivity than semiconductor material having naturally occurring isotopic ratios. The insulating layer may be formed by implanting atoms or ions into a semiconductor layer and subjecting the wafer to heat treatment resulting in the implanted atoms or ions reacting with the semiconductor layer to form an insulating layer.
(FR) L'invention concerne une structure de plaquette de semi-conducteur présentant une couche de dispositif, une couche isolante et un substrat pouvant supporter des densités de dispositifs à semi-conducteurs accrues ou une puissance de dispositifs à semi-conducteurs accrue. Au moins une des couches comprend un matériau semi-conducteur isotopiquement enrichi présentant une conductivité thermique supérieure au matériau semi-conducteur présentant des rapports isotopiques d'origine naturelle. On peut former la couche isolante en implantant des atomes ou des ions dans une couche semi-conductrice et en soumettant la plaquette à un traitement thermique, les atomes ou les ions implantés réagissant avec la couche semi-conductrice pour former une couche isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)