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1. (WO2005065140) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE SUPERJONCTION AVEC DES TERMINAISONS CONVENTIONNELLES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/065140 N° de la demande internationale : PCT/US2004/041302
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 10.12.2004
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
Déposants :
THIRD DIMENSION (3D) SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; P.O. Box 24619 7855 South River Parkway Suite 122 Tempe, AZ 85285, US
Inventeurs :
HSHIEH, Fwu-Iuan; US
Mandataire :
SIMMONS, John, D. ; Akin Gump Strauss Hauer & Feld, LLP One Commerce Square Suite 2200 2005 Market Street Philadelphia, PA 19103-7013, US
Données relatives à la priorité :
60/531,50119.12.2003US
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A SUPERJUNCTION DEVICE WITH CONVENTIONAL TERMINATIONS
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE SUPERJONCTION AVEC DES TERMINAISONS CONVENTIONNELLES
Abrégé :
(EN) A method of manufacturing a semiconductor device includes providing a semiconductor substrate having a heavily doped region of a first conductivity and has a lightly doped region of the first conductivity. The semiconductor substrate a plurality of trenches etched into an active region of the substrate forming a plurality of mesas. A preselected area in the active region is oxidized and then etched using a dry process oxide etch to remove the oxide in the bottoms of the trenches. A protective shield is formed over a region at a border between the active region and the termination region. The protective shield is partially removed from over the preselected area. Dopants are implanted at an angle into mesas in the preselected area. The plurality of trenches are with an insulating material, the top surface of the structure is planarized and a superjunction device is formed on the structure.
(FR) Cette invention se rapporte à un procédé qui sert à fabriquer un dispositif à semi-conducteur et qui consiste à cet effet à former un substrat de semi-conducteur comportant une zone fortement dopée d'une première conductivité et une zone faiblement dopée de la même première conductivité. Ce substrat de semi-conducteur possède plusieurs tranchées gravées dans une zone active du substrat formant plusieurs mésas. Une surface présélectionnée dans la zone active est oxydée, puis gravées, en utilisant une gravure à l'oxyde par procédé à sec, pour éliminer l'oxyde aux fonds des tranchées. Un écran protecteur est formé sur une zone au niveau d'une limite entre la zone active et la zone des terminaisons. Cet écran protecteur est partiellement éliminé de la surface présélectionnée. Des dopants sont implantés selon un angle dans des mésas dans la surface présélectionnée. Les tranchée sont comprises dans un matériau isolant, la surface supérieure de la structure est planarisée et un dispositif de superjonction est ainsi formé sur cette structure.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020070032624KR1020080100265EP1701686JP2007515079JP2009004805