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1. (WO2005065064) MODULE D'ALIMENTATION SANS POTENTIEL A TENSION D'ISOLATION ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/065064    N° de la demande internationale :    PCT/RU2004/000532
Date de publication : 21.07.2005 Date de dépôt international : 29.12.2004
CIB :
H01L 25/00 (2006.01)
Déposants : OTKRYTOE AKTSIONERNOE OBSCHESTVO 'ELEKTROVYPRIYAMITEL' [RU/RU]; ul. Proletarskaya, 126, Saransk, Respublika Mordoviya, 430001 (RU) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BORMOTOV, Aleksei Timofeevich; (RU).
ELISEEV, Vyacheslav Vasilievich; (RU).
MARTYNENKO, Valentin Aleksandrovich; (RU).
MUSKATINIEV, Vyacheslav Gennadievich; (RU).
CHIBIRKIN, Vladimir Vasilievich; (RU)
Données relatives à la priorité :
2004100917 09.01.2004 RU
Titre (EN) POWER POTENTIAL-FREE MODULE HAVING A HIGH INSULATION VOLTAGE
(FR) MODULE D'ALIMENTATION SANS POTENTIEL A TENSION D'ISOLATION ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to producing power modules based on diodes, transistors and similar semiconductor devices and can be used for high-voltage converter engineering in different industries, transport, energy and municipal engineering. The inventive power module is provided with soldered or pressed contacts and consists of a base, a thermal compensator, metal-ceramic plates, semiconductor elements and a body. Said semiconductor elements are fixed to the top metal-ceramic plate of the module. A certain number of metal-ceramic plates (1, 2, 3, n) and the thermal compensator, which is connected to the lower metal-ceramic plate by the contact surface thereof and to the module base by the other surface thereof, are mounted between said plate and the base. The sizes of the contact surface of the thermal compensator faithfully copy the sizes of the metal coating of the metal ceramic plate contacting therewith, the thickness of the thermal compensator must be equal to or greater than the length of the insulating space between the edge of the plate and the edge of the metal coating.
(FR)L'invention se rapporte à la fabrication de modules d'alimentation à base de diodes, de thyristors, de transistors et d'autres dispositifs semi-conducteurs et peut s'utiliser dans des équipements de transformation haute tension, utilisés dans de différents domaines de l'industrie, du transport, de la production d'énergie ou de l'industrie de services publics. Le module d'alimentation comprenant des contacts soudés ou à pinces comprend une base, un compensateur thermique, des plaques métallocéramiques, des éléments semi-conducteurs, des sorties et un corps. Les éléments semi-conducteurs sont fixés à la plaque métallocéramique supérieure du module. Entre cette plaque et la base on a disposé un certain nombre de plaques métallocéramiques (1, 2, 3 ... n) et le compensateur thermique qui est relié par une de ses surfaces de contact à la plaque métallocéramique inférieure et par l'autre surface, à la base du module. Les dimensions de la surface active du compensateur thermique correspondent exactement aux dimensions de la métallisation de la plaque métallocéramique avec laquelle il est en contact, et l'épaisseur du compensateur thermique est égale ou supérieure à la longueur de l'intervalle de d'isolation entre le bord de la plaque et le bord de métallisation de la plaque métallocéramique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)