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1. (WO2005064995) ELEMENT ELECTROLUMINSECENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064995 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/019466
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 17.12.2004
CIB :
H05B 33/14 (2006.01) ,H05B 33/22 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
14
caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
12
Sources de lumière avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions
22
caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
Déposants :
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP (AllExceptUS)
KUMAKI, Daisuke [JP/JP]; JP (UsOnly)
SEO, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
KUMAKI, Daisuke; JP
SEO, Satoshi; JP
Données relatives à la priorité :
2003-43230626.12.2003JP
Titre (EN) LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) ELEMENT ELECTROLUMINSECENT
Abrégé :
(EN) In the present invention, a light-emitting element operating at low driving voltage, consuming low power, emitting light with good color purity and manufactured in high yields can be obtained. A light-emitting element is disclosed with a configuration composed of a fist layer containing a light-emitting material, a second layer, a third layer are formed sequentially over an anode to be interposed between the anode and a cathode in such a way that the third layer is formed to be in contact with the cathode. The second layer is made from n-type semiconductor, a mixture including that, or a mixture of an organic compound having a carrier transporting property and a material having a high electron donor property. The third layer is made from p-type semiconductor, a mixture including that, or a mixture of an organic compound having a carrier transporting property and a material having a high electron acceptor property.
(FR) L'invention concerne un élément électroluminsecent qui fonctionne à basse tension de commande, consomme peu d'énergie, émet une lumière de bonne pureté chromatique, et est fabriqué à haut rendement. L'invention concerne un élément électroluminsecent dont la configuration est composée d'une première couche contenant un matériau électroluminsecent; une deuxième couche et une troisième couche formées consécutivement au-dessus d'une anode pour s'interposer entre l'anode et une cathode, de sorte que la disposition de la troisième couche la place au contact de la cathode. La deuxième couche est constituée d'un semiconducteur de type n, d'un mélange contenant ledit semiconducteur, ou d'un mélange d'un composé organique présentant une propriété de transport de courants porteurs et d'un matériau présentant une grande propriété de don d'électrons. La troisième couche est constituée d'un semiconducteur de type p, d'un mélange contenant ledit semiconducteur, ou d'un mélange d'un composé organique présentant une propriété de transport de courants porteurs et d'un matériau présentant une grande propriété de réception d'électrons.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
US20070114527US20110156030CN1902984CN101673808US20170133623