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1. (WO2005064994) ELEMENT ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE, SYSTEME D'AFFICHAGE ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE, PROCEDE POUR FABRIQUER UN ELEMENT ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET SYSTEME POUR FABRIQUER UN ELEMENT ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
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請求の範囲

1 . 正極と負極間に、少なくとも発光層と、前記発光層の正極側に隣接する正孔 輸送層と、編己前記発光層の負極側に隣接する電子注入輸送層とを有する有機 E L素子であって、

前記正孔輸送層と前記正極の間に正孔注入層が形成され、当該正孔注入層は、 その導電性を当該正孔注入層の厚さ方向に連続的に変ィ匕させることを特徴とする 有機 E L素子。 '

2. tilt己正孔注入層はァクセプタを含むことを特徴とする請求項 1記載の E L素子。

3 . 前記正孔注入層は、ァクセプタ濃度を当該正孔注入層の厚さ方向に連続的に 変化させることを特徴とする請求項 2記載の有機 E L素子。

4. 前記正孔注入層では、前記正孔輸送層との界面近傍に、当該正孔注入層のァ クセプタ濃度が減少した境界領域が形成されていることを特徵とする請求項 2記 載の有機 'E L素子。

5 .前記正 ¾Λ層では、編己ァクセプタ濃度が前記界面近傍で少なくとも 1 0 % 以上変化することを特徴とする請求項 4記載の有機 L素子。

6 . 前記正孔注入層では、前記正極との界面近傍に、当該正孔注入層のァクセプ タ濃度が減少した境界領域が形成されていることを特徴とする請求項 2記載の有 機 E L素子。

7.前記正孔注入層では、前記ァクセプタ濃度が前記界面近傍で少なくとも 1 0 % 以上変化することを特徴とする請求項 6記載の有機 E L素子。

8 . 前記正孔注入層では、前記正孔輸送層との界面近傍と、前記正極との界面近 傍とに、当該正孔注入層のァクセプタ濃度が減少した第 1および第 2の境界領域 がそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項 2記載の有機 E L素子。

9 . 刖正孔注入層は、 4, 4,,4 — tris (2— naphthylphenylamino) trip enylami neよりなり、前記ァクセプタは、 2, 3, 5, 6-tetrafluoro-7, 7, 8, 8tetracyanoqui nodimethaneよりなることを特徴とする請求項 2記載の有機 E L素子。

1 0 . 認己正極は導電性酸化物よりなり、謙己正孔注入層は 4 0〜 5 0 n mの膜 厚を有することを特徴とする請求項 1記載の有機 E.L素子。

1 1 . 正極と負極間に、少なくとも発光層と、前記発光層の正極側に隣接する正 孔輸送層と、前記嫌己発光層の負極側に隣接する電子注入輸送層とを有する有機

E L素子を有する有機 E L表示装置であって、.

前記正孔輸送層と fit己正極の間に正孔注入層が形成され、当該正孔注入層は、 その導電性を当該正孔注入層の厚さ方向に連続的に変ィ匕させることを特徴とする 有機 E L表示装置。

1 2. 上に形成された正極上に正孔注入層を形成する工程と、

l己正孔注入層上に正孔輸送層を形成する工程と、

lift己正孔輸送層上に発光層を形成する工程と、

前記発光層上に電子注入輸送層を形成する工程と、

嫌己電子注入輸送層上に負極を形成する工程を有する有機 E L素子の製造方法 であって、 ' '

編己正孔注入層を形成する工程は、蒸着源を使った真空蒸着法により実施され、 編己正孔注入層の形成工程中は、前記蒸着源と、有機 E L素子が形成される被処 理纖との距離を変化させる工程を含むことを特徴とする有機 E L素子の製造方 法。

1 3. l己正孔注入層を形成する工程では、前記正?し注入層にァクセプタが導入 され、廳己蒸着源の距離を変化させる工程により、当該正孔注入層の酵方向の ァクセプタ濃度を変ィ匕させることを特徴とする請求.項 1 2記載の^ E L素子の 製造方法。

1 4. 膽己膜厚方向のァクセプタ濃度の変ィ匕は、ァクセプタ濃度を増大させる変 化であることを特徴とする請求項 1 3記載の有機 E L素子の製造方法。

1 5. 前記膜厚方向のァクセプタ濃度の変ィ匕は、ァクセプタ濃度を減少させる変 化であることを特徴とする請求項 1 3記載の有機 E L素子の製造方法。

1 6. 爾己蒸着源は複数用いられ、複数の当該蒸着源のうち、少なくともひとつ にはァクセプタが保持されることを特徴とする請求項 1 3記載の有機 E L素子の 製 法。

1 7. 前記正孔注入層の導電性は、当該正孔注入層のァクセプタの濃度の変化に より、変ィヒさせられることを特徴とする請求項 1 3記載の有機 E L素子の製造方 法。 .

1 8 · 処理容器と、

前記処理容器内部を排気する排気手段と、

前記処理容器内部の第 1の側に設けられた被処理基板を保持する保持台と、 編己処理容器内部の当該第 1の側に^向する第 2の側に設けられた、材料を気 化させる蒸着源とを有し、

当該蒸着源によつて気ィ匕された嫌己材料が前記被処3¾板に蒸着される、

E L素子の製造装置であって、

編己気ィ匕手段を前記処理容器内で移動させる移動手段を有し、前記移動手段は、 少なくとも前記蒸着源を前記第 1の側から第 2の側の方向へ、または前記第 2の 側から第 1の側の方向へ移動させることが可能な構造であることを特徴とする有 機 E Lの製造装置。

1 9. 前記蒸着源と共に移動し、編己蒸着源との距離を一定に保持しながら前記 蒸着源から気化する材料の量を検知する検知手段を有することを特徴とする請求 項 1 8記載の有機 E Lの製造装置。 -

2 0. 前記検知手段によって検知される前記蒸着源から気化する材料の量に応じ て、前記移動手段によつて前記被処理基板から IS蒸着源までの距離が制御され る制御手段を有することを特徴とする請求項 1 8記載の有機 E Lの製造装置。