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1. (WO2005064697) DIODE ELECTROLUMINESCENTE A STRUCTURE D'ELECTRODE VERTICALE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064697 N° de la demande internationale : PCT/KR2004/003021
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 22.11.2004
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
Déposants :
ITSWELL CO. LTD. [KR/KR]; 9-4 Block, Ochang Scientific Industrial Complex 1115-4, Namchon-ri, Oksan-myeon, Cheongwon-gun Chungbuk 363-911, KR (AllExceptUS)
KIM, Seong-Jin [KR/KR]; KR (UsOnly)
KIM, Chang-Yeon [KR/KR]; KR (UsOnly)
CHOI, Yong-Seok [KR/KR]; KR (UsOnly)
HAN, Young-Heon [KR/KR]; KR (UsOnly)
KIM, Don-Soo [KR/KR]; KR (AllExceptUS)
YU, Soon-Jae [KR/KR]; KR (UsOnly)
Inventeurs :
KIM, Seong-Jin; KR
KIM, Chang-Yeon; KR
CHOI, Yong-Seok; KR
HAN, Young-Heon; KR
KIM, Don-Soo; KR
YU, Soon-Jae; KR
Mandataire :
LEE, Keon-Cheol; Keon Patent & Law Office sunggok Bldg., 4F 823-22 Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080, KR
Données relatives à la priorité :
10-2003-010001530.12.2003KR
Titre (EN) LIGHT EMITTING DIODE WITH VERTICAL ELECTRODE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
(FR) DIODE ELECTROLUMINESCENTE A STRUCTURE D'ELECTRODE VERTICALE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A light conversion LED is fabricated by a method comprising: forming a buffer layer, an n-contact layer, an n-cladding layer, an active layer, a p-cladding layer, a p-contact layer, a conductive transparent electrode and a light reflecting layer in their order on a sapphire substrate; forming first and second receptor contact layers on both surfaces of a receptor substrate; forming a junction layer on at least one of the light reflecting layer and the second receptor contact layer; arranging the sapphire, substrate and the receptor substrate so that the light reflecting layer of the sapphire substrate is opposed to the second receptor contact layer of the receptor substrate and thermally compressing a resultant structure; removing the sapphire substrate; forming a second electrode on the n-contact layer and a first electrode on the first receptor contact layer; and spin-coating a phosphor layer on the n-contact layer and the second electrode.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente (DEL) de conversion de lumière fabriquée au moyen d'un procédé qui consiste à former une couche tampon, une couche de contact-n, une couche de revêtement-n, une couche active, une couche de revêtement-p, une couche de contact-p, une électrode transparente conductrice et une couche réfléchissant la lumière dans cet ordre sur un substrat en saphir, à former des première et seconde couches de contact du récepteur sur les deux surfaces d'un substrat du récepteur, à former une couche de jonction sur la couche réfléchissant la lumière et/ou la seconde couche de contact du récepteur, à disposer le substrat en saphir et le substrat de récepteur, de telle manière que la couche réfléchissant la lumière du substrat en saphir est opposée à la seconde couche de contact du substrat du récepteur et à comprimer thermiquement une structure résultante, à éliminer le substrat en saphir, à former une seconde électrode sur la couche de contact-n et une première électrode sur la première couche de contact du récepteur, et à appliquer par centrifugation une couche de phosphore sur la couche de contact-n et la seconde électrode.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Coréen (KO)