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1. (WO2005064696) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR EMETTEUR DE RAYONNEMENT ET/OU RECEPTEUR DE RAYONNEMENT, ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Note: Texte fondé sur des processus automatiques de reconnaissance optique de caractères. Seule la version PDF a une valeur juridique

Patentansprüche

1. Strahlungsemittierendes und/oder Strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement mit einem Strahlungsemittierenden und/oder Strahlungsempfangenden Halbleiterchip, einem Kunststoff-Formteil, das für eine vom Halbleiterbauelement zu emittierende und/oder zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig ist und mit dem der Halbleiterchip zumindest teilweise umformt ist, und mit externen elektrischen Anschlüssen, die mit elektrischen Kontaktflächen des Halbleiterchips elektrisch verbunden sind,
dadurch gekennzeichnet,
dass das Kunststoff-Formteil aus einer reaktionshärtenden

Silikon-Formmasse besteht.

2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Silikon-Formmasse eine Aushärtezeit von gleich o- der weniger als 10 Minuten aufweist.

3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2 ,
dadurch gekennzeichne ,
dass die Silikon-Formmasse im ausgehärteten Zustand eine Härte von gleich oder größer als 65 Shore D aufweist.

4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
dass die Silikon-Formmasse ein Silikon-Composite-Material ist .

5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
dass die Silikon-Formmasse Konvertermaterial enthält, das zumindest einen Teil einer vom Halbleiterchip emittierten und/oder vom Halbleiterbauelement empfangenen elektromagnetischen Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs ab- sobiert und elektromagnetische Strahlung emittiert, die aus einem zweiten Wellenlängenbereich stammt, der vom ersten Wellenlängenbereich verschieden ist.

6. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
dass der Halbleiterchip elektromagnetische Strahlung aus dem blauen oder ultravioletten Sprektralbereich emittiert.

7. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
dass es eine Stellfläche (footprint) von etwa 0,5 mm x 1,0 mm oder kleiner aufweist.

8. Halbleiterbauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet,
dass es eine gesamte Bauteilhöhe von 350 μm oder weniger, vorzugsweise 250 μm oder weniger aufweist.

9. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, dass
- der Halbleiterchip auf einem metallischen Leiterrahmen, einem Trägersubstrat oder einer Trägerfolie befestigt, der die externen elektrischen Anschlüsse aufweist,
- der Halbleiterchip einschließlich Teilbereiche des Leiterrahmens, des Trägersubstrats oder der Trägerfolie in eine Kavität einer Spritzform eingebracht werden,
- Silikon-Formmasse mittels eines Spritzgußverfahrens oder mittels eines Spritzpressverfahrens in die Kavität eingespritzt wird, und
- die Silikon-Formmasse in der Kavität zumindest derart gehärtet wird, dass ein formstabiles Kunststoff-Formteil gebildet wird.