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1. (WO2005064666) DIODES ELECTROLUMINESCENTES A BASE DE NITRURE DE GALLIUM TRES EFFICACES GRACE A UNE SURFACE RENDUE RUGUEUSE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064666 N° de la demande internationale : PCT/US2003/039211
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 09.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 23.05.2005
CIB :
H01L 21/465 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/20 (2006.01) ,H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
46
Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428161
461
pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage
465
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
06
caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
20
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
20
ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
22
Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02
caractérisés par les corps semi-conducteurs
26
Matériaux de la région électroluminescente
30
contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32
contenant de l'azote
Déposants :
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street 12th Floor Oakland, CA 94607, US (AllExceptUS)
FUJII, Tetsuo [JP/US]; US (UsOnly)
GAO, Yan [CN/US]; US (UsOnly)
HU, Evelyn, L. [US/US]; US (UsOnly)
NAKAMURA, Shuji [JP/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
FUJII, Tetsuo; US
GAO, Yan; US
HU, Evelyn, L.; US
NAKAMURA, Shuji; US
Mandataire :
GATES, George, H.; Gates & Cooper LLP 6701 Center Drive West Suite 1050 Los Angeles, CA 90045, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGHLY EFFICIENT GALLIUM NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES VIA SURFACE ROUGHENING
(FR) DIODES ELECTROLUMINESCENTES A BASE DE NITRURE DE GALLIUM TRES EFFICACES GRACE A UNE SURFACE RENDUE RUGUEUSE
Abrégé :
(EN) A gallium nitride (GaN) based light emitting diode (LED), wherein light is extracted through a nitrogen face (N-face) (42) of the LED and a surface of the N-face (42) is roughened into one or more hexagonal shaped cones. The roughened surface reduces light reflections occurring repeatedly inside the LED, and thus extracts more light out of the LED. The surface of the N-face (42) is roughened by an anisotropic etching, which may comprise a dry etching or a photo-enhanced chemical (PEC) etching.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente (DEL) à base de nitrure de gallium (GaN), dans laquelle la lumière est extraite par une face azote (face N) (42) de la DEL ; et une surface de ladite face (42) est rendue rugueuse par la formation, sur celle-ci, d'un ou de plusieurs cônes de forme hexagonale. La surface rendue rugueuse réduit les réflexions lumineuses produites de façon répétée dans la DEL et permet ainsi d'extraire plus de lumière de celle-ci. La surface de la face N (42) est rendue rugueuse par la mise en oeuvre d'un procédé de gravure anisotrope, qui comprend une gravure à sec ou une gravure chimique photoassistée (PEC).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060131799EP1697983EP2320482JP2007521641US20070121690CN1886827
KR1020110031248AU2003296426