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1. (WO2005064665) REDUCTION DE LA DIFFUSIVITE DU BORE DANS DES TRANSISTORS PFET
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064665 N° de la demande internationale : PCT/US2003/039025
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 08.12.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 07.10.2005
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/425 (2006.01) ,H01L 27/01 (2006.01) ,H01L 29/167 (2006.01) ,H01L 29/76 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
42
Bombardement par des radiations
423
par des radiations d'énergie élevée
425
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
01
comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
16
comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du quatrième groupe de la classification périodique, sous forme non combinée
167
caractérisés en outre par le matériau de dopage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NJ 10504, US (AllExceptUS)
BUEHRER, Frederick, William [US/US]; US (UsOnly)
CHIDAMBARRAO, Dureseti [US/US]; US (UsOnly)
DORIS, Bruce, B. [US/US]; US (UsOnly)
HUANG, Hsiang-Jen [US/US]; US (UsOnly)
YANG, Haining [CN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
BUEHRER, Frederick, William; US
CHIDAMBARRAO, Dureseti; US
DORIS, Bruce, B.; US
HUANG, Hsiang-Jen; US
YANG, Haining; US
Mandataire :
WHITHAM, Michael, E. ; Whithman, Curtis & Christofferson, P.C. 11491 Sunset Hills Road Suite 340 Reston, VA 20190, US
ABATE, Joseph, P.; International Business Machines Corporation 2070 Route 52 Hopewell Junction, NY 12533, US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) REDUCTION OF BORON DIFFUSIVITY IN pFETs
(FR) REDUCTION DE LA DIFFUSIVITE DU BORE DANS DES TRANSISTORS PFET
Abrégé :
(EN) A stressed film applied across a boundary defined by a structure or a body (e.g. substrate or layer ) of semiconductor material provides a change from tensile to compressive stress in the semiconductor material proximate to the boundary and is used to modify boron diffusion rate during annealing and thus modify final boron concentrations and/or profiles/gradients. In the case of a field effect transistor, the gate structure may be formed with or without sidewalls to regulate the location of the boundary relative to source/drain, extension and/or halo implants. Different boron diffusion rates can be produced in the lateral and vertical directions and diffusion rates comparable to arsenic can be achieved. Reduction of junction capacitance of both nFETs and pFETs can be achieved simultaneously with the same process steps.
(FR) Dans cette invention, un film sous-contrainte appliqué sur une limite définie par une structure ou un corps (par exemple substrat ou couche de matériau semi-conducteur) induit un changement de contrainte, qui transforme la contrainte de traction en contrainte de compression, dans le matériau semi-conducteur à proximité de la limite, et il est utilisé pour modifier la vitesse de diffusion du bore pendant le recuit et, partant, pour modifier les concentrations et/ou profils/gradients de bore finaux. Dans le cas d'un transistor à effet de champ, la structure de grille peut être formée avec ou sans parois latérales pour réguler la position de la limite par rapport à l'élément source/drain, l'extension et/ou les halo-implants. Différentes vitesses de diffusion du bore peuvent être produites dans des directions latérales et verticales et des vitesses de diffusion comparables à l'arsenic peuvent être obtenues. La réduction de la capacitance de jonction à la fois dans des transistors nFET et pFET peut être obtenue simultanément avec les mêmes étapes de processus.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060096506EP1692717JP2007524982US20070093030CN1879207AU2003296359