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1. (WO2005064660) PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA A PARTIR DE MICRO-ONDES, DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA A PARTIR DE MICRO-ONDES, ET SA TETE A PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/064660    N° de la demande internationale :    PCT/JP2004/019772
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 24.12.2004
CIB :
C23C 16/511 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H05H 1/24 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
Déposants : FUTURE VISION INC. [JP/JP]; 3rd Floor, Hakua Bldg. 2-4-1, Akasaka Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP) (Tous Sauf US).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP).
HIRAYAMA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORIGUCHI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIROE, Akihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAMURA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
HIRAYAMA, Masaki; (JP).
HORIGUCHI, Takahiro; (JP).
HIROE, Akihiko; (JP).
KITAMURA, Masayuki; (JP)
Mandataire : ONODERA, Yoji; Shin-kyoubashi Dai-ichi Nagaoka Bldg. 9-8, Hacchoobori 3-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2003-431939 26.12.2003 JP
Titre (EN) MICROWAVE PLASMA PROCESSING METHOD, MICROWAVE PLASMA PROCESSING APPARATUS, AND ITS PLASMA HEAD
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT AU PLASMA A PARTIR DE MICRO-ONDES, DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA A PARTIR DE MICRO-ONDES, ET SA TETE A PLASMA
(JA) マイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッド
Abrégé : front page image
(EN)A microwave plasma processing method in which a linear plasma is produced by means of a microwave, the surface of an object to be processed is held horizontally with respect to the linear plasma, and the object is processed under the atmospheric pressure or under a pressure near the atmospheric pressure while the object is being moved, a microwave plasma processing apparatus, and its plasma head are disclosed. The plasma head has an H-plane slot antenna, and slots are made in the slot antenna at &lgr;g/2 pitches staggeredly on both sides of the center line of the waveguide. The distance from the slots to the emission end of the plasma head is n·&lgr;g/2 (&lgr;g is the wavelength in the tube of the microwave). The plasma head further has an E-plane slot antenna, and slots are made in the slot antenna at &lgr;g pitches along the center line of the waveguide. A uniforming line having a distance n·&lgr;g/2 from the slots to the emission end of the plasma head is disposed.
(FR)La présente invention concerne un procédé de traitement au plasma à partir de micro-ondes dans le cadre duquel un plasma linéaire est produit au moyen de micro-ondes, la surface d'un objet à traiter est maintenue horizontalement par rapport au plasma linéaire, et l'objet est traité sous pression atmosphérique ou sous une pression proche de la pression atmosphérique, alors que l'objet est mis en mouvement. L'invention a également pour objet un dispositif de traitement à plasma à partir de micro-ondes et sa tête à plasma. La tête à plasma comprend une antenne à fentes à plan H, et des fentes sont pratiquées dans l'antenne à fentes selon des pas $g(l)g/2 de façon alternée sur les deux côtés de la ligne centrale du guide d'onde. La distance des fentes à l'extrémité d'émission de la tête à plasma est n $g(l)g/2 ($g(l)g représente la longueur d'onde dans le tube des micro-ondes). La tête à plasma comprend également une antenne à fentes à plan E, et des fentes sont pratiquées dans l'antenne à fentes selon des pas $g(l)g le long de la ligne centrale du guide d'onde. Une ligne d'uniformisation est formée à une distance n $g(l)g/2 des fentes de l'extrémité d'émission de la tête à plasma.
(JA)マイクロ波を用いて線状プラズマを形成し、被処理物表面を前記線状プラズマに水平に保ちつつ被処理物の移動中に大気圧下またはその近傍の圧力下で処理を被処理物に施すマイクロ波プラズマ処理方法、マイクロ波プラズマ処理装置及びそのプラズマヘッドにおいて、プラズマヘッドにH面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλg/2のピッチで導波管の中心線を挟んで交互に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離n・λg/2を有するようにする(ここで、λg:マイクロ波の管内波長)。また、プラズマヘッドにE面スロットアンテナを備え、該スロットアンテナのスロットをλgのピッチで導波管の中心線上に形成し、かつ、前記スロットから前記プラズマヘッドの放出端までの距離n・λg/2を有する均一化線路を配置する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)