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1. (WO2005064659) PROCEDE DE REGULATION DE TEMPERATURE POUR UN SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064659 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/019406
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 24.12.2004
CIB :
F25D 9/00 (2006.01) ,F25D 13/00 (2006.01) ,F25D 17/02 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
25
RÉFRIGÉRATION OU REFROIDISSEMENT; SYSTÈMES COMBINÉS DE CHAUFFAGE ET DE RÉFRIGÉRATION; SYSTÈMES À POMPES À CHALEUR; FABRICATION OU EMMAGASINAGE DE LA GLACE; LIQUÉFACTION OU SOLIDIFICATION DES GAZ
D
RÉFRIGÉRATEURS; CHAMBRES FROIDES; GLACIÈRES; APPAREILS DE REFROIDISSEMENT OU DE CONGÉLATION NON COUVERTS PAR UNE AUTRE SOUS-CLASSE
9
Dispositifs non associés à des machines frigorifiques et non couverts par les groupes F25D1/-F25D7/138; Combinaisons de dispositifs compris dans deux ou plusieurs des groupes F25D1/-F25D7/123
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
25
RÉFRIGÉRATION OU REFROIDISSEMENT; SYSTÈMES COMBINÉS DE CHAUFFAGE ET DE RÉFRIGÉRATION; SYSTÈMES À POMPES À CHALEUR; FABRICATION OU EMMAGASINAGE DE LA GLACE; LIQUÉFACTION OU SOLIDIFICATION DES GAZ
D
RÉFRIGÉRATEURS; CHAMBRES FROIDES; GLACIÈRES; APPAREILS DE REFROIDISSEMENT OU DE CONGÉLATION NON COUVERTS PAR UNE AUTRE SOUS-CLASSE
13
Dispositifs fixes associés à des machines frigorifiques, p.ex. chambres froides
F MÉCANIQUE; ÉCLAIRAGE; CHAUFFAGE; ARMEMENT; SAUTAGE
25
RÉFRIGÉRATION OU REFROIDISSEMENT; SYSTÈMES COMBINÉS DE CHAUFFAGE ET DE RÉFRIGÉRATION; SYSTÈMES À POMPES À CHALEUR; FABRICATION OU EMMAGASINAGE DE LA GLACE; LIQUÉFACTION OU SOLIDIFICATION DES GAZ
D
RÉFRIGÉRATEURS; CHAMBRES FROIDES; GLACIÈRES; APPAREILS DE REFROIDISSEMENT OU DE CONGÉLATION NON COUVERTS PAR UNE AUTRE SOUS-CLASSE
17
Dispositions pour la circulation des fluides de refroidissement; Dispositions pour la circulation de gaz, p.ex. d'air, dans les enceintes refroidies
02
pour la circulation des liquides, p.ex. de la saumure
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
205
en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 〒1078481 東京都港区赤坂五丁目3番6号 Tokyo 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
野沢 俊久 NOZAWA, Toshihisa [JP/JP]; JP (UsOnly)
小谷 光司 KOTANI, Koji [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
野沢 俊久 NOZAWA, Toshihisa; JP
小谷 光司 KOTANI, Koji; JP
Mandataire :
吉武 賢次 YOSHITAKE, Kenji; 〒1000005 東京都千代田区丸の内三丁目2番3号 富士ビル323号 協和特許法律事務所 Tokyo Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005, JP
Données relatives à la priorité :
2003-43095425.12.2003JP
2004-34415029.11.2004JP
Titre (EN) TEMPERATURE REGULATING METHOD FOR SUBSTRATE TREATING SYSTEM AND SUBSTRATE TREATING SYSTEM
(FR) PROCEDE DE REGULATION DE TEMPERATURE POUR UN SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET SYSTEME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理システムのための温度調節方法および基板処理システム
Abrégé :
(EN) A substrate treating system comprising a plurality of CVD treating devices (15a-15c) and one refrigerating machine (101). A supply path (102) for supplying refrigerant from the refrigerating machine to respective CVD treating devices, and a feedback path (103) for feeding back refrigerant to the refrigerating machine from respective treating devices are provided. Therefore, refrigerant is dividedly supplied to respective treating devices from the refrigerating machine. Respective treating devices are respectively provided with circulating paths (104a-104c) passing through rod stages (33) as the objects of temperature regulation, with respective circulating paths connected to the supply path and the feedback path. Refrigerant is allowed to circulate through circulating paths to constantly regulate the temperature of the rod stages. Upon a rise in temperature at a rod stage, low-temperature refrigerant is supplied into a circulating path from the supply path to cool it.
(FR) La présente invention concerne un système de traitement de substrat comprenant une pluralité des dispositifs de traitement CVD (15a-15c) et une machine de réfrigération (101). Un trajet d'alimentation (102) destiné à alimenter du réfrigérant de la machine de réfrigération aux dispositifs de traitement CVD respectifs, et un trajet de retour (103) destiné à retourner du réfrigérant vers la machine de réfrigération en provenance des dispositifs de traitement respectif sont prévus. Par conséquent, le réfrigérant est alimenté séparément aux dispositifs de traitement respectifs à partir de la machine de réfrigération. Les dispositifs de traitement respectifs sont respectivement pourvus de trajet de circulation (104a-104c) passant à travers des étages de tiges (33), objets de régulation de température, avec des trajets de circulation respectifs connectés au trajet d'alimentation est au trajet de retour. Le réfrigérant peut circuler à travers des trajets de circulation de façon à réguler la température en permanence des étages de tiges. Lors d'une élévation de température au niveau d'un étage de tiges, le réfrigérant basse température est alimenté dans un trajet de circulation à partir du trajet d'alimentation afin de refroidir cet étage.
(JA)  基板処理システムは、複数のCVD処理装置(15a~15c)と、1台の冷凍機(101)とを備えている。冷凍機から各CVD処理装置に冷媒を供給する供給路(102)と、各処理装置から冷凍機に冷媒を戻す帰還路(103)とが設けられる。これにより、冷凍機から各処理装置に冷媒を分割供給する。各処理装置には、温度調節対象であるロッドステージ(33)を通る循環路(104a~104c)がそれぞれ設けられている。各循環路は、供給路と帰還路に接続される。循環路内で冷媒を循環させてロッドステージを安定的に温度調節する。ロッドステージの温度上昇時には、供給路から循環路内に低温の冷媒を取り入れてロッドステージを冷却する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
US20080271471