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1. (WO2005064649) SYSTEME DE CONDITIONNEMENT D'ECHAPPEMENT DESTINE A UN REACTEUR A SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064649 N° de la demande internationale : PCT/US2004/043344
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 23.12.2004
CIB :
B01D 46/44 (2006.01) ,B01D 53/34 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,H01L 21/00 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
46
Filtres ou procédés spécialement modifiés pour la séparation de particules dispersées dans des gaz ou des vapeurs
42
Equipement auxiliaire ou son utilisation
44
Commande de la filtration
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
01
PROCÉDÉS OU APPAREILS PHYSIQUES OU CHIMIQUES EN GÉNÉRAL
D
SÉPARATION
53
Séparation de gaz ou de vapeurs; Récupération de vapeurs de solvants volatils dans les gaz; Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p.ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols
34
Epuration chimique ou biologique des gaz résiduaires
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
Déposants :
SCHUMACHER, John, C. [US/US]; US
Inventeurs :
SCHUMACHER, John, C.; US
Mandataire :
ALTMAN, Daniel, E.; KNOBBE, MARTENS, OLSON & BEAR, LLP 2040 Main Street Fourteenth Floor Irvine, California 92614, US
Données relatives à la priorité :
60/532,18623.12.2003US
Titre (EN) EXHAUST CONDITIONING SYSTEM FOR SEMICONDUCTOR REACTOR
(FR) SYSTEME DE CONDITIONNEMENT D'ECHAPPEMENT DESTINE A UN REACTEUR A SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé :
(EN) The invention relates generally to an exhaust system and, in particular, to an exhaust conditioning system (110, 110', 110') including overpressure and/or backflow protection and a combined trap/muffler (126, 126') for semiconductor etch and deposition processes. Advantages include automatic continuous operation, substantially zero lost wafers from unscheduled vacuum pump shut down, reduced particulate defects and improved yield.
(FR) L'invention concerne de manière générale un système d'échappement, et en particulier, un système de conditionnement d'échappement (110, 110', 110') comprenant une protection contre une surpression et/ou reflux et un piège/silencieux (126, 126') combinés pour gravure de semi-conducteur et procédés de dépôt. Les avantages de ce système consistent en un fonctionnement automatique continu, des tranches sensiblement sans perte lors d'un d'arrêt de pompe à vide non planifié, des défauts particulaires réduits et un rendement élevé.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
EP1702351JP2007522649CN1898411