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1. (WO2005064614) DISPOSITIF A COUCHE MINCE FERROELECTRIQUE REMANENTE UTILISANT UN SEMICONDUCTEUR AMBIPOLAIRE ORGANIQUE ET METHODE DE TRAITEMENT DE CE DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2005/064614    N° de la demande internationale :    PCT/IB2004/052613
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 01.12.2004
CIB :
G11C 11/22 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
GELINCK, Gerwin, H. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
MARSMAN, Albert, W. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
TOUWSLAGER, Fredericus, J. [NL/NL]; (NL) (US Seulement).
DE LEEUW, Dagobert, M. [NL/NL]; (NL) (US Seulement)
Inventeurs : GELINCK, Gerwin, H.; (NL).
MARSMAN, Albert, W.; (NL).
TOUWSLAGER, Fredericus, J.; (NL).
DE LEEUW, Dagobert, M.; (NL)
Mandataire : ELEVELD, Koop, J.; Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
03104889.5 22.12.2003 EP
Titre (EN) NON-VOLATILE FERROELECTRIC THIN FILM DEVICE USING AN ORGANIC AMBIPOLAR SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PROCESSING SUCH A DEVICE
(FR) DISPOSITIF A COUCHE MINCE FERROELECTRIQUE REMANENTE UTILISANT UN SEMICONDUCTEUR AMBIPOLAIRE ORGANIQUE ET METHODE DE TRAITEMENT DE CE DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)A non-volatile ferroelectric memory device is proposed which comprises a combination of an organic ferroelectric polymer with an organic ambipolar semiconductor. The devices of the present invention are compatible with - and fully exploit the benefits of polymers, i.e. solution processing, low-cost, low temperature layer deposition and compatibility with flexible substrates.
(FR)Ce dispositif à mémoire ferroélectrique rémanente comprend une combinaison d'un polymère ferroélectrique organique avec un semiconducteur ambipolaire organique. Ces dispositifs sont compatibles avec des polymères et permettent d'en tirer pleinement profit, par exemple par un traitement en solution, par une déposition économique de couches à basse température et par leur compatibilité avec des substrats souples.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)