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1. (WO2005064403) COMPOSITION DE FORMATION DE REVETEMENTS DE NITRURE POUR MASQUES DURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064403 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/019225
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 22.12.2004
CIB :
G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/30 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
Déposants :
日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 〒1010054 東京都千代田区神田錦町3丁目7番地1 Tokyo 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054, JP (AllExceptUS)
竹井 敏 TAKEI, Satoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
境田 康志 SAKAIDA, Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
竹井 敏 TAKEI, Satoshi; JP
境田 康志 SAKAIDA, Yasushi; JP
Mandataire :
萼 経夫 HANABUSA, Tsuneo; 〒1010062 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ 萼特許事務所内 Tokyo c/o Hanabusa Patent Office, Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010062, JP
Données relatives à la priorité :
2003-43179226.12.2003JP
Titre (EN) COMPOSITION FOR FORMING NITRIDE COATING FILM FOR HARD MASK
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE REVETEMENTS DE NITRURE POUR MASQUES DURS
(JA) ハードマスク用塗布型窒化膜形成組成物
Abrégé :
(EN) [PROBLEMS] This invention aims to provide an underlying film which does not cause intermixing with a photoresist layer and can be formed by spin coating. The underlying film can be used as a hard mask in a lithography process in semiconductor device production. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A composition for forming an underlying film that is used for producing semiconductor devices is characterized by containing metal nitride particles having an average particle diameter of 1-1000 nm and an organic solvent. The metal nitride particles contain at least one element selected from the group consisting of titanium, silicon, tantalum, tungsten, cerium, germanium, hafnium and gallium.
(FR) [PROBLEME] créer une sous-couche n'interférant pas avec la couche de photorésiste et déposable à la tournette, et pouvant servir de masque dur dans un processus lithographique lors de la production de dispositifs semi-conducteurs. [SOLUTION] élaboration d'une composition de particules de nitrure d'un diamètre moyen de 1 à 1000 nm dans un solvant organique, lesdites particules consistant en au moins un élément sélectionné parmi le titane, le silicium, le tantale, le tungstène, le cérium, le germanium, l'hafnium et le gallium
(JA) 【課題】フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、スピンコート法によって形成することができる、半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてにハードマスクとして使用できる下層膜を提供すること。 【解決手段】平均粒子径が1~1000nmである金属窒化物粒子及び有機溶剤を含むことを特徴とする、半導体装置の製造に使用される下層膜形成組成物。当該金属窒化物粒子は、チタン、シリコン、タンタル、タングステン、セリウム、ゲルマニウム、ハフニウム、及びガリウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含む。                                                                                 
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060134964EP1703328JPWO2005064403US20070148557JP4488234CN1902550