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1. (WO2005064320) DISPOSITIF ET PROCEDE D’OBSERVATION D’UNE INTERFACE DE COLLAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064320 N° de la demande internationale : PCT/FR2004/003361
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 22.12.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 18.10.2005
CIB :
G01N 21/88 (2006.01) ,G01R 31/26 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01) ,H01L 21/762 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
R
MESURE DES VARIABLES ÉLECTRIQUES; MESURE DES VARIABLES MAGNÉTIQUES
31
Dispositions pour vérifier les propriétés électriques; Dispositions pour la localisation des pannes électriques; Dispositions pour l'essai électrique caractérisées par ce qui est testé, non prévues ailleurs
26
Essai de dispositifs individuels à semi-conducteurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71
Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76
Réalisation de régions isolantes entre les composants
762
Régions diélectriques
Déposants :
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31-33, rue de la Fédération F-75752 Paris 15ème, FR (AllExceptUS)
S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques F-38190 Bernin, FR (AllExceptUS)
TRACIT TECHNOLOGIES Centr'alp [FR/FR]; 52, rue Corporat F-38430 Moirans, FR (AllExceptUS)
MORICEAU, Hubert [FR/FR]; FR (UsOnly)
FOURNEL, Franck [FR/FR]; FR (UsOnly)
FAURE, Bruce [FR/FR]; FR (UsOnly)
LETERTRE, Fabrice [FR/FR]; FR (UsOnly)
ASPAR, Bernard [FR/FR]; FR (UsOnly)
LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs :
MORICEAU, Hubert; FR
FOURNEL, Franck; FR
FAURE, Bruce; FR
LETERTRE, Fabrice; FR
ASPAR, Bernard; FR
LAGAHE-BLANCHARD, Chrystelle; FR
Mandataire :
POULIN, Gérard; Brevatome 3, rue du Docteur Lancereaux F-75008 Paris, FR
SIMMONET, Christine; C/O Brevatome 3, Rue du Docteur Lancereaux 75008 Paris, FR
Données relatives à la priorité :
035118123.12.2003FR
Titre (EN) DEVICE AND METHOD FOR OBSERVING A BONDING INTERFACE
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE D’OBSERVATION D’UNE INTERFACE DE COLLAGE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for characterising the interface between a first element (2), such as a substrate or a thin layer, and a second element (4), such as a substrate or a thin layer. According to said method, the first element is illuminated by radiation (10) for which it is at least partially transparent, and the radiation reflected by the interface is then detected.
(FR) L'invention concerne un procédé de caractérisation de l'interface entre un premier élément (2), tel qu'un substrat ou une couche mince, et un deuxième élément (4), tel qu'un substrat ou une couche mince, comportant : - éclairer le premier élément avec un rayonnement (10) pour lequel il est au moins partiellement transparent, - détecter le rayonnement réfléchi par l'interface.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Français (FR)
Langue de dépôt : Français (FR)