Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005064036) CIBLE EN CUIVRE OU EN ALLIAGE DE CUIVRE/ ENSEMBLE PLAQUE D'APPUI EN ALLIAGE DE CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/064036 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/017744
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 30.11.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 10.05.2005
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
Déposants :
株式会社 日鉱マテリアルズ Nikko Materials Co., Ltd. [JP/JP]; 〒1050001 東京都港区虎ノ門二丁目10番1号 Tokyo 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP (AllExceptUS)
岡部 岳夫 OKABE, Takeo [JP/JP]; JP (UsOnly)
宮下 博仁 MIYASHITA, Hirohito [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
岡部 岳夫 OKABE, Takeo; JP
宮下 博仁 MIYASHITA, Hirohito; JP
Mandataire :
小越 勇 OGOSHI, Isamu; 〒1050002 東京都港区愛宕一丁目2番2号 虎ノ門9森ビル3階 小越国際特許事務所 Tokyo OGOSHI International Patent Office Toranomon 9 Mori Bldg. 3F, 2-2, Atago 1-Chome, Minato-ku, Tokyo 1050002, JP
Données relatives à la priorité :
2003-42852025.12.2003JP
Titre (EN) COPPER OR COPPER ALLOY TARGET/COPPER ALLOY BACKING PLATE ASSEMBLY
(FR) CIBLE EN CUIVRE OU EN ALLIAGE DE CUIVRE/ ENSEMBLE PLAQUE D'APPUI EN ALLIAGE DE CUIVRE
(JA) 銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体
Abrégé :
(EN) [PROBLEMS] To provide a copper or copper alloy target/a copper alloy backing plate assembly wherein the copper or copper alloy target combines the resistance to an eddy current and the other characteristics required to a magnetron spattering target in good balance. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A copper or copper alloy target/a copper alloy backing plate assembly for use in magnetron sputtering, wherein the copper alloy backing plate comprises a low beryllium copper alloy or a Cu-Ni-Si based alloy; and a copper or copper alloy target/a copper alloy backing plate assembly, wherein the copper alloy backing plate has an electroconductivity of 35 to 60 % (IACS) and a 0.2 % yield strength of 400 to 850 MPa.
(FR) Cible en cuivre ou en alliage de cuivre/un ensemble plaque d'appui en alliage de cuivre, la cible en cuivre ou en alliage de cuivre conjuguant de manière équilibrée une résistance aux courants de Foucault et d'autres caractéristiques requises par une cible de pulvérisation magnétron. L'invention concerne ainsi une cible en cuivre ou en alliage de cuivre/un ensemble plaque d'appui en alliage de cuivre pour pulvérisation magnétron, la plaque d'appui en alliage de cuivre comprenant un alliage de cuivre à faible teneur en béryllium ou un alliage à base de Cu-Ni-Si ; et une cible en cuivre ou en alliage de cuivre/ensemble plaque d'appui en alliage de cuivre, laquelle plaque d'appui possède une électroconductivité de 35 à 60 % (IACS) et une limite élastique de 0,2 % sous une pression de 400 à 850 kPa.
(JA) 【課題】 銅又は銅合金スパッタリングターゲットに対して、耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性をバランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体を提供することを課題とする。 【解決手段】 マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが低ベリリウム銅合金又はCu−Ni−Si系合金である銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体。また、銅合金バッキングプレートが導電率35~60%(IACS)、0.2%耐力400~850MPaを備えている銅又は銅合金ターゲット/銅合金バッキングプレート組立体。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060126723EP1715077US20070051624JP4331727EP2626444