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1. (WO2005063685) COMPOSE METALLIQUE, MATERIAU PERMETTANT DE FORMER UN FILM MINCE, ET PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/063685 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/016579
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 09.11.2004
CIB :
C23C 16/18 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06
caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
18
à partir de composés organométalliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22
caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
30
Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
40
Oxydes
Déposants :
旭電化工業株式会社 ASAHI DENKA Co., Ltd. [JP/JP]; 〒1160012 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 Tokyo 2-35, Higashiogu 7-chome Arakawa-ku, Tokyo 1160012, JP (AllExceptUS)
桜井 淳 SAKURAI, Atsushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
山田 直樹 YAMADA, Naoki [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
桜井 淳 SAKURAI, Atsushi; JP
山田 直樹 YAMADA, Naoki; JP
Mandataire :
羽鳥 修 HATORI, Osamu; 〒1070052 東京都港区赤坂一丁目8番6号赤坂HKNビル6階 Tokyo Akasaka HKN BLDG. 6F, 8-6, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
Données relatives à la priorité :
2003-42898125.12.2003JP
Titre (EN) METAL COMPOUND, MATERIAL FOR FORMING THIN FILM AND METHOD FOR PREPARING THIN FILM
(FR) COMPOSE METALLIQUE, MATERIAU PERMETTANT DE FORMER UN FILM MINCE, ET PROCEDE DE PREPARATION D'UN FILM MINCE
(JA) 金属化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法
Abrégé :
(EN) A metal compound represented by the following general formula (I): [wherein R1, R2, R3, and R4 each represent an alkyl group having one to four carbon atoms, A represents an alkanediyl group having one to eight carbon atoms, M represents a lead atom, a titanium atom or a zirconium atom, and n represents 2 when M is a lead atom and represents 4 when M is a titanium or zirconium atom]. The above metal compound has a low melting point and thus can be transported in a liquid state, has a high vapor pressure and thus is easy to vaporize, and is free from the change in its quality due to the exchange of ligands or a chemical reaction also when mixed with another metal compound, and thus it is suitable as a material for use in a method for preparing a thin film, such as the CVD method forming a thin film through the vaporization of a metal compound.
(FR) La présente invention se rapporte à un composé métallique représenté par la formule générale (I). Dans ladite formule, R1, R2, R3 et R4 représentent chacun un groupe alkyle possédant un à quatre atomes de carbone, A représente un groupe alcane diyle possédant un à huit atomes de carbone, M représente un atome de plomb, un atome de titane ou un atome de zirconium, et n est égal à 2 lorsque M représente un atome de plomb, et est égal à 4 lorsque M représente un atome de titane ou de zirconium. Le composé métallique selon l'invention présente une température de fusion basse et peut donc être transporté à l'état liquide, présente une pression de vapeur élevée et est donc facile à vaporiser, et ne subit pas de modification de qualité due à l'échange de ligands ou à une réaction chimique, y compris lorsqu'il est mélangé à un autre composé métallique, et convient donc en tant que matériau destiné à être utilisé dans un procédé de préparation d'un film mince, tel qu'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur destiné à former un film mince par la vaporisation d'un composé métallique.
(JA) not available
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020060110328EP1698614JPWO2005063685US20070122947US20100028536JP4610487
CN1898192