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1. (WO2005063621) CHARGE D'ALIMENTATION EN SILICIUM POUR CELLULES SOLAIRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/063621 N° de la demande internationale : PCT/NO2004/000003
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 12.01.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 03.10.2005
CIB :
C01B 33/00 (2006.01) ,C30B 13/00 (2006.01) ,C30B 15/00 (2006.01) ,H01L 31/0256 (2006.01) ,H01L 31/042 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
33
Silicium; Ses composés
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
13
Croissance des monocristaux par fusion de zone; Affinage par fusion de zone
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
04
adaptés comme dispositifs de conversion
042
comprenant un panneau ou une matrice de cellules photovoltaïques, p.ex. des cellules solaires
Déposants :
ELKEM ASA [NO/NO]; Hoffsveien 65B N-0377 Oslo, NO (AllExceptUS)
ENEBAKK, Erik [NO/NO]; NO (UsOnly)
FRIESTAD, Kenneth [NO/NO]; NO (UsOnly)
TRONSTAD, Ragnar [NO/NO]; NO (UsOnly)
ZAHEDI, Cyrus [NO/NO]; NO (UsOnly)
DETHLOFF, Christian [NO/NO]; NO (UsOnly)
Inventeurs :
ENEBAKK, Erik; NO
FRIESTAD, Kenneth; NO
TRONSTAD, Ragnar; NO
ZAHEDI, Cyrus; NO
DETHLOFF, Christian; NO
Mandataire :
VINDENES, Magne; c/o Elkem ASA Patent Department P.O. Box 8040 Vågsbygd N-4675 Kristiansand, NO
Données relatives à la priorité :
2003583029.12.2003NO
Titre (EN) SILICON FEEDSTOCK FOR SOLAR CELLS
(FR) CHARGE D'ALIMENTATION EN SILICIUM POUR CELLULES SOLAIRES
Abrégé :
(EN) The present invention relates to silicon feedstock for producing directionally solidified silicon ingots, thin sheets and ribbons for the production of silicon wafers for PV solar cells where the silicon feedstock contains between 0.2 and 10 ppma boron and between 0.1 and 10 ppma phosphorus distributed in the material. The invention further relates to directionally solidified silicon ingot or thin silicon sheet or ribbon for making wafers for solar cells containing between 0.2 ppma and 10 ppma boron and between 0.1 ppma and 10 ppma phosphorus distributed in the ingot, said silicon ingot having a type change from p- type to n-type or from n-type to p-type at a position between 40 and 99 % of the ingot height or sheet or ribbon thickness and having a resistivity profile described by an exponential curve having a starting value between 0.4 and 10 ohm cm and where the resistivity value increases towards the type change point. Finally the invention relates to a method for producing silicon feedstock for producing directionally solidified silicon ingots, thin sheets and ribbons for the production of silicon wafers for PV solar cells.
(FR) La présente invention concerne une charge d'alimentation en silicium servant à produire des lingots de silicium à solidification directionnelle, des feuilles minces et des rubans destinés à la production de tranches pour cellules photovoltaïques. La charge d'alimentation en silicium contient entre 0,2 et 10 ppma de bore et entre 0,1 et 10 ppma de phosphore répartis dans le matériau. L'invention concerne également un lingot de silicium à solidification directionnelle, ou une feuille silicium mince ou un ruban destiné(e) à la production de tranches pour cellules photovoltaïques contenant entre 0,2 et 10 ppma de bore et entre 0,1 et 10 ppma de phosphore répartis dans le lingot. Ledit lingot peut changer de type et passer du type p au type n ou inversement, à une position située entre 40 et 99 % de la hauteur du lingot ou de l'épaisseur de la feuille ou du ruban, et présente un profil de résistivité représenté par une courbe exponentielle, dont la valeur de départ est comprise entre 0,4 et 10 ohm et la valeur de la résistivité augmente en direction du point de changement de type. L'invention concerne enfin un procédé de production d'une charge d'alimentation en silicium servant à produire des lingots de silicium à solidification directionnelle, des feuilles minces et des rubans destinés à la production de tranches pour cellules photovoltaïques.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
BRPI0417807EP1699737JP2007516928US20070128099US20080206123JP4580939
EP2607308CN1902129CA2548936EA200601259ES2441725AU2004308879
IN2370/CHENP/2006