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1. (WO2005063612) STRUCTURE DE METAL FIN, PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT, MOULE EN METAL FIN ET DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/063612 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/019116
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 21.12.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 19.07.2005
CIB :
B29C 33/38 (2006.01) ,B29C 33/42 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01) ,H01J 1/304 (2006.01)
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29
TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
C
FAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
33
Moules ou noyaux; Leurs détails ou accessoires
38
caractérisés par la matière ou le procédé de fabrication
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
29
TRAVAIL DES MATIÈRES PLASTIQUES; TRAVAIL DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL
C
FAÇONNAGE OU ASSEMBLAGE DES MATIÈRES PLASTIQUES; FAÇONNAGE DES SUBSTANCES À L'ÉTAT PLASTIQUE EN GÉNÉRAL; POST-TRAITEMENT DES PRODUITS FAÇONNÉS, p.ex. RÉPARATION
33
Moules ou noyaux; Leurs détails ou accessoires
42
caractérisés par la forme de la surface de moulage, p.ex. par des nervures, des rainures
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81
TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
C
PROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1
Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1
Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02
Electrodes principales
30
Cathodes froides
304
Cathodes à émission d'électrons de champ
Déposants :
株式会社 日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 〒1008280 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 Tokyo 6-6. Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP (AllExceptUS)
吉田 博史 YOSHIDA, Hiroshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
赤星 晴夫 AKAHOSHI, Haruo [JP/JP]; JP (UsOnly)
宮内 昭浩 MIYAUCHI, Akihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
荻野 雅彦 OGINO, Masahiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
吉田 博史 YOSHIDA, Hiroshi; JP
赤星 晴夫 AKAHOSHI, Haruo; JP
宮内 昭浩 MIYAUCHI, Akihiro; JP
荻野 雅彦 OGINO, Masahiko; JP
Mandataire :
浅村 皓 ASAMURA, Kiyoshi; 〒1000004 東京都千代田区大手町2丁目2番1号 新大手町ビル331 Tokyo Room 331, New Ohtemachi Bldg., 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
Données relatives à la priorité :
2003-43180126.12.2003JP
Titre (EN) FINE METAL STRUCTURE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, FINE METAL MOLD AND DEVICE
(FR) STRUCTURE DE METAL FIN, PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT, MOULE EN METAL FIN ET DISPOSITIF
(JA) 微細金属構造体とその製造方法、並びに微細金型とデバイス
Abrégé :
(EN) A fine metal structure having its surface furnished with microprojections of high strength, high precision and large aspect ratio; and a process for producing the fine metal structure free of defects. There is provided a fine metal structure having its surface furnished with microprojections, characterized in that the microprojections have a minimum thickness or minimum diameter ranging from 10 nanometers to 10 micrometers and that the ratio between minimum thickness or minimum diameter (D) of microprojections and height of microprojections (H), H/D, is greater than 1. There is further provided a process for producing a fine metal structure, characterized by comprising providing a substrate having a fine rugged pattern on its surface, applying a molecular electroless plating catalyst to the surface, thereafter carrying out electroless plating to thereby form a metal layer having the rugged pattern filled, and detaching the metal layer from the substrate to thereby obtain a fine metal structure furnished with a surface having undergone reversal transfer of the above rugged pattern.
(FR) La présente invention concerne une structure de métal fin présentant une surface pourvue de micro-projections de grande résistance, de haute précision et présentant un rapport d'aspect important. Cette invention concerne également un procédé permettant de produire la structure de métal fin exempte de défauts. Un mode de réalisation décrit dans cette invention concerne une structure de métal fin présentant une surface pourvue de micro-projections, laquelle structure se caractérise par des micro-projections qui ont une épaisseur minimum ou un diamètre minimum compris entre 10 nanomètres et 10 micromètres et par un rapport entre l'épaisseur minimum ou le diamètre minimum (D) des micro-projections et la hauteur des micro-projections (H), H/D, supérieur à 1. En outre, cette invention concerne un procédé permettant de produire une structure de métal fin, lequel procédé se caractérise par l'utilisation d'un substrat présentant un motif solide fin sur sa surface ; à appliquer un catalyseur par dépôt autocatalytique moléculaire sur la surface ; puis, à exécuter un dépôt autocatalytique de manière à former une couche métallique présentant le motif solide rempli ; puis à détacher la couche métallique du substrat afin d'obtenir une structure de métal fin pourvue d'une surface présentant un transfert inverse du motif solide.
(JA)  表面に、高強度で精度が高くアスペクト比の大きな微小突起物を有する、微細金属構造体および前記微細構造体を欠陥無く製造する方法を提供することを課題とする。表面に微小突起物を有する微細金属構造体にあって、微小突起物の最小厚みあるいは最小直径が10ナノメートルから10マイクロメートルであり、前記微小突起物の高さ(H)に対する、前記微小突起物の最小厚みあるいは最小直径(D)の比(H/D)が1より大きいことを特徴とする。また、表面に微細な凸凹パターンを有する基板の表面に、分子性無電解めっき触媒を付与し、その後に無電解めっきを施すことにより少なくとも前記凸凹パターンが充填された金属層を形成し、さらに、前記金属層を前記基板から剥離することにより前記凸凹パターンが反転転写された表面を有する微細金属構造体を得ることを特徴とする。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
JP2005189128US20070148653