Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005062998) SYSTEME METALLIQUE D'INTERCONNEXION ET PROCEDE DE FIXATION DIRECTE D'UNE PUCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062998 N° de la demande internationale : PCT/US2004/044097
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 11.12.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 12.07.2005
CIB :
H01L 21/44 (2006.01) ,H01L 23/52 (2006.01) ,H01L 23/485 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
44
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
482
formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
485
formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
Déposants :
GREAT WALL SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; P.O. Box 24619 Southern Avenue Tempe, AZ 85285-4619, US (AllExceptUS)
Inventeurs :
ANDERSON, Samuel, S.; US
SHEN, Zheng; US
OKADA, David, N.; US
Mandataire :
NATASHA, C., Us; Goodwin Procter LLP Exchange Place Boston, MA 02109, US
Données relatives à la priorité :
60/529,16612.12.2003US
60/544,70212.02.2004US
Titre (EN) METAL INTERCONNECT SYSTEM AND METHOD FOR DIRECT DIE ATTACHMENT
(FR) SYSTEME METALLIQUE D'INTERCONNEXION ET PROCEDE DE FIXATION DIRECTE D'UNE PUCE
Abrégé :
(EN) Provided herein is an exemplary embodiment of a semiconductor chip for directly connecting to a carrier. The chip includes a metal layer applied to a top surface of the chip; a passivation layer applied over the metal layer such that portions of the passivation layer is selectively removed to create one or more openings (“bond pads”) exposing portions of the metal layer and one or more solderable metal contact regions formed on each of the one or more openings. The solderable metal contact regions electrically connect to the carrier when the chip is positioned face down on the carrier, supplied with a thin layer of solder and heated.
(FR) L'invention porte sur un exemple de fixation directe d'une puce de semi-conducteur sur un support. La puce comporte: une couche métallique appliquée sur la surface supérieure de la puce; une couche de passivation appliquée sur la couche métallique et dont on élimine sélectivement certaines parties pour créer une ou plusieurs ouvertures (de liaison) de manière à exposer certaines parties de la couche métallique; et une ou plusieurs zones de contact de métal soudable formées sur la ou lesdites ouvertures, lesdites zones étant reliées électriquement au support lorsqu'on dispose la puce, face vers le bas, sur le support ayant été revêtu d'une mince couche de soudure, puis chauffé.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
JP2007527112US20080296690