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1. (WO2005062885) CONTROLE DE SELECTIVITE DANS UN SYSTEME DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062885 N° de la demande internationale : PCT/US2004/043115
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 21.12.2004
CIB :
H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 21/44 (2006.01) ,H01L 21/302 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
44
Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/36-H01L21/428177
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US (AllExceptUS)
TAKESHITA, Kenji [JP/US]; US (UsOnly)
TURMEL, Odette [CA/US]; US (UsOnly)
KOZAKEVICH, Felix [US/US]; US (UsOnly)
HUDSON, Eric [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
TAKESHITA, Kenji; US
TURMEL, Odette; US
KOZAKEVICH, Felix; US
HUDSON, Eric; US
Mandataire :
NGUYEN, Joseph, A.; P.O. Box 700640 San Jose, CA 95170-0640, US
Données relatives à la priorité :
10/745,84623.12.2003US
10/881,41029.06.2004US
Titre (EN) SELECTIVITY CONTROL IN A PLASMA PROCESSING SYSTEM
(FR) CONTROLE DE SELECTIVITE DANS UN SYSTEME DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé :
(EN) A method in a plasma processing system for etching a feature through a given layer on a semiconductor substrate. The method includes placing the substrate in a plasma processing chamber of the plasma processing system. The method also includes flowing an etchant gas mixture into the plasma processing chamber, the etchant gas mixture being configured to etch the given layer. The method additionally includes striking a plasma from the etchant source gas. Furthermore, the method includes etching the feature at least partially through the given layer while applying a bias RF signal to the substrate. The bias RF signal has a bias RF frequency of between about 27 MHz and about 75 MHz and a bias RF power component that is configured to cause the etch feature to be etched with an etch selectivity to a second layer of the substrate that is higher than a predefined selectivity threshold or configured to cause the feature to be etched in accordance to predefined etch rate parameters and etch profile parameters at the bias RF frequency.
(FR) L'invention concerne un procédé de gravure d'une caractéristique à travers une couche donnée sur un substrat à semi-conducteur, dans un système de traitement au plasma. Ce procédé consiste à: placer le substrat dans une chambre de traitement au plasma du système de traitement au plasma; faire circuler un mélange de gaz de gravure dans la chambre de traitement, ce mélange étant conçu pour attaquer la couche donnée; amorcer un plasma à partir du gaz de gravure; et graver la caractéristique au moins en partie à travers la couche donnée tout en appliquant un signal RF de polarisation sur le substrat. Le signal RF de polarisation présente une fréquence RF de polarisation comprise entre environ 27 MHz et environ 75 MHz ainsi qu'une composante de puissance RF de polarisation qui est configurée pour favoriser la gravure de la caractéristique de gravure selon une sélectivité de gravure sur une seconde couche du substrat qui est supérieure à un seuil de sélectivité prédéfini, ou qui est configurée pour mettre la caractéristique à graver en conformité avec les paramètres de vitesse de gravure et les paramètres de profil de gravure prédéfinis dans la fréquence RF de polarisation.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060115905EP1697970JP2007516622CN1954424CN102136420