Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2005062752) STRUCTURE DE GRILLE DE CARBURE METALLIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062752 N° de la demande internationale : PCT/US2004/039855
Date de publication : 14.07.2005 Date de dépôt international : 29.11.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 21.10.2005
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 29/76 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8238
Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
Déposants :
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
CABRAL, Cyril, Jr. [US/US]; US (UsOnly)
DETAVERNIER, Christopher [BE/BE]; BE (UsOnly)
JAMMY, Rajarao [IN/US]; US (UsOnly)
SAENGER, Katherine, L. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
CABRAL, Cyril, Jr.; US
DETAVERNIER, Christopher; BE
JAMMY, Rajarao; US
SAENGER, Katherine, L.; US
Mandataire :
AMERNICK, Burton, A.; Connolly Bove Lodge & Hutz LLP 1990 M Street, N.W., Suite 800 Washington, DC 20036-3425, US
Données relatives à la priorité :
10/722,55728.11.2003US
Titre (EN) METAL CARBIDE GATE STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATION
(FR) STRUCTURE DE GRILLE DE CARBURE METALLIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé :
(EN) A semiconductor device such as a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) comprising at least one FET (210) that comprises a gate electrode (180) comprising a metal carbide and method of fabrication are provided. The CMOS comprises dual work function metal gate electrodes whereby the dual work functions are provided by a metal (150) and a carbide of a metal.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur, tel qu'un semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS), comprenant au moins un FET comportant une électrode de grille à base de carbure métallique. Le CMOS comprend des électrodes de grille métalliques à double fonction, la double fonction étant fournie par un métal et un carbure d'un métal.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020070008528EP1687457JP2007525827CN101151724IN3617/DELNP/2006