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1. (WO2005062463) PAIRE DE TRANSISTORS DE DARLINGTON A POLARISATION, PROCEDE ET SYSTEME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062463 N° de la demande internationale : PCT/US2004/038730
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 17.11.2004
CIB :
H03F 1/22 (2006.01) ,H03F 1/30 (2006.01) ,H03F 3/343 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
08
Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs
22
par utilisation de couplage dit "cascode", c. à d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
1
Détails des amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge, uniquement des dispositifs à semi-conducteurs ou uniquement des composants non spécifiés
30
Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
34
Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu
343
comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
Déposants :
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US (AllExceptUS)
GLASS, Kevin [US/US]; US (UsOnly)
SMITH, Malcolm [GB/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
GLASS, Kevin; US
SMITH, Malcolm; US
Mandataire :
LEMOINE, Dana, B.; Lemoine Patent Services, PLLC Portfolio IP P.O. Box 52050 Minneapolis, MN 55402 , US
Données relatives à la priorité :
10/727,26203.12.2003US
Titre (EN) BIASED DARLINGTON TRANSISTOR PAIR, METHOD, AND SYSTEM
(FR) PAIRE DE TRANSISTORS DE DARLINGTON A POLARISATION, PROCEDE ET SYSTEME
Abrégé :
(EN) An amplifier includes a Darlington transistor pair (110, 120) and a biasing network to increase bias currents in an input transistor (110). Circuit (100) includes in put transistor (110), second transistior (120), radio frequency (RF) choke (112), degeneration inductor (122), capacitopr (132) and voltage controlled current source (130). Input transistor (110) and second transistor (120) are coupled to form a Darlington transistor pair with the collectors coupled together at node (142), and the emitter of input transistor (120) at node (111).
(FR) L'invention concerne un amplificateur qui comprend une paire de transistors de Darlington (110, 120) et un réseau de polarisation permettant d'augmenter les courants de polarisation dans un transistor d'entrée (110). On décrit un circuit (100) qui comprend un transistor d'entrée (110), un second transistor (120), une bobine d'arrêt HF (112), un inducteur de contre-réaction (122), un condensateur (132) et une source de courant commandée en tension (130). Les deux transistors (110) et (120) sont couplés pour former une paire de transistors de Darlington avec les collecteurs couplés mutuellement au niveau du noeud (142), et l'émetteur du transistor d'entrée (110) est couplé à la base du transistor d'entrée (120) au niveau du noeud (111).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020060094982JP2007513574US20050122172JP4553904