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1. (WO2005062434) LASER A EMISSION PAR LA SURFACE ET PROJECTEUR LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062434 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/019060
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 21.12.2004
CIB :
G02F 1/37 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/183 (2006.01)
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
F
DISPOSITIFS OU SYSTÈMES DONT LE FONCTIONNEMENT OPTIQUE EST MODIFIÉ PAR CHANGEMENT DES PROPRIÉTÉS OPTIQUES DU MILIEU CONSTITUANT CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES ET DESTINÉS À LA COMMANDE DE L'INTENSITÉ, DE LA COULEUR, DE LA PHASE, DE LA POLARISATION OU DE LA DIRECTION DE LA LUMIÈRE, p.ex. COMMUTATION, OUVERTURE DE PORTE, MODULATION OU DÉMODULATION; TECHNIQUES NÉCESSAIRES AU FONCTIONNEMENT DE CES DISPOSITIFS OU SYSTÈMES; CHANGEMENT DE FRÉQUENCE; OPTIQUE NON LINÉAIRE; ÉLÉMENTS OPTIQUES LOGIQUES; CONVERTISSEURS OPTIQUES ANALOGIQUES/NUMÉRIQUES
1
Dispositifs ou systèmes pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source de lumière indépendante, p.ex. commutation, ouverture de porte ou modulation; Optique non linéaire
35
Optique non linéaire
37
pour la génération de l'harmonique deux
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
04
Procédés ou appareils pour l'excitation, p.ex. pompage
042
Excitation électrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
10
Structure ou forme du résonateur optique
18
Lasers à émission de surface (lasers SE)
183
ayant une cavité verticale (lasers VCSE)
Déposants :
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
水内 公典 MIZUUCHI, Kiminori; null (UsOnly)
笠澄 研一 KASAZUMI, Ken'ichi; null (UsOnly)
森川 顕洋 MORIKAWA, Akihiro; null (UsOnly)
Inventeurs :
水内 公典 MIZUUCHI, Kiminori; null
笠澄 研一 KASAZUMI, Ken'ichi; null
森川 顕洋 MORIKAWA, Akihiro; null
Mandataire :
早瀬 憲一 HAYASE, Kenichi; 〒5320003 大阪府大阪市淀川区宮原3丁目4番30号 ニッセイ新大阪ビル13階 早瀬特許事務所 Osaka HAYASE & CO. Patent Attorneys 13F, NISSAY SHIN-OSAKA Bldg. 3-4-30, Miyahara, Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320003, JP
Données relatives à la priorité :
2003-42560122.12.2003JP
Titre (EN) SURFACE-EMITTING LASER AND LASER PROJECTOR
(FR) LASER A EMISSION PAR LA SURFACE ET PROJECTEUR LASER
(JA) 面発光レーザおよびレーザ投射装置
Abrégé :
(EN) A surface-emitting laser (100a) comprises an active layer (3) formed on a semiconductor substrate (2a) and a pair of upper and lower electrodes (5, 6) for injecting carriers into the active layer (3). The lower electrode (6) is shaped into a star when viewed from above so that the density of the current injected into the active layer (3) from the lower electrode (6) is high at the center of the lower electrode (6) and low at its periphery part. The density distribution of the carriers injected into the active layer of the surface-emitting laser (100a) corresponds to the power distribution of the light inside the active layer. As a result, hole burning due to an increase of the current density in the region corresponding to the peripheral part of the electrode does not occur in the active layer, and the transverse mode stability during high output operation is drastically enhanced, thereby improving the high-output characteristic.
(FR) Cette invention se rapporte à un laser à émission par la surface (100a), qui comprend une couche active (3) formée sur un substrat de semi-conducteur (2a) et une paire d'électrodes supérieure et inférieure (5, 6) servant à injecter des charges porteuses dans la couche active (3). L'électrode inférieure (6) est conçue sous la forme d'une étoile vue d'en haut, de telle sorte que la densité du courant injecté dans la couche active depuis l'électrode inférieure (6) est élevée au centre de l'électrode inférieure (6) et faible à sa périphérie. La distribution de densité des charges porteuses injectées dans la couche active de ce laser à émission par la surface (100a) correspond à la distribution d'énergie du rayonnement lumineux à l'intérieur de la couche active. Ainsi, le brûlage des trous dû à une augmentation de la densité de courant dans la zone correspondant à la partie périphérique de l'électrode ne se produit pas dans la couche active, et la stabilité en mode transversal lors d'une utilisation à haut rendement est considérablement améliorée, améliorant ainsi les caractéristiques à haut rendement.
(JA)  本発明は、半導体基板(2a)上に形成された活性層(3)と、前記活性層(3)にキャリアを注入する一対の上部電極(5)及び下部電極(6)とを有する面発光レーザ(100a)において、該下部電極(6)の平面形状を、該下部電極(6)から前記活性層(3)への電流の注入が、該下部電極(6)の中心部分では高い電流密度で、その周辺部分では低い電流密度で行われるよう星型形状としたものである。この面発光レーザ(100a)では、面発光レーザの活性層に注入するキャリアの密度分布が、活性層内での光のパワー分布に応じた分布となり、これにより、活性層の、電極周辺部に対応する領域での電流密度の増大によるホールバーニングの発生を回避して、高出力時の横モード安定性を大幅に増大させて高出力特性の向上を図ることができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
KR1020060123366EP1710877JPWO2005062434US20080232412JP4680065CN1883092