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1. (WO2005062433) DISPOSITIF LASER SEMI-CONDUCTEUR ET PROJECTEUR LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062433 N° de la demande internationale : PCT/JP2004/019123
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 21.12.2004
CIB :
H01S 5/062 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
06
Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p.ex. en agissant sur le milieu actif
062
en faisant varier le potentiel des électrodes
Déposants :
松下電器産業株式会社 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
水内 公典 MIZUUCHI, Kiminori; null (UsOnly)
山本 和久 YAMAMOTO, Kazuhisa; null (UsOnly)
笠澄 研一 KASAZUMI, Ken'ichi; null (UsOnly)
木戸口 勲 KIDOGUCHI, Isao; null (UsOnly)
Inventeurs :
水内 公典 MIZUUCHI, Kiminori; null
山本 和久 YAMAMOTO, Kazuhisa; null
笠澄 研一 KASAZUMI, Ken'ichi; null
木戸口 勲 KIDOGUCHI, Isao; null
Mandataire :
早瀬 憲一 HAYASE, Kenichi; 〒5320003 大阪府大阪市淀川区宮原3丁目4番30号 ニッセイ新大阪ビル13階 早瀬特許事務所 Osaka HAYASE & CO. Patent Attorneys, 13F, NISSAY SHIN-OSAKA Bldg., 3-4-30, Miyahara, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003, JP
Données relatives à la priorité :
2003-42560022.12.2003JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND LASER PROJECTOR
(FR) DISPOSITIF LASER SEMI-CONDUCTEUR ET PROJECTEUR LASER
(JA) 半導体レーザ装置およびレーザ投射装置
Abrégé :
(EN) A semiconductor laser device (10) having different end face reflectances. The semiconductor laser device (10) has an electrode of a four-split structure composed of four electrode portions (1, 2, 3, 4) arranged on a striped ridge portion (107a). A larger injected current is injected into the electrode nearer the light-emitting end face. In such a semiconductor laser device, the carrier density distribution in the active layer opposed to the striped ridge portion can be suitable for the light intensity distribution, and consequently the instability of the transverse mode caused by spatial hole burning and the degradation of the high-output characteristic due to lowering of the gain can be prevented.
(FR) L'invention concerne un dispositif laser semi-conducteur (10) possédant des réflectances de face d'extrémité différentes. Ce dispositif laser semi-conducteur (10) possède une électrode à structure divisée en quatre composée de quatre parties d'électrode (1, 2, 3, 4) disposées sur une partie de crête striée (107a). Un courant plus important est injecté dans l'électrode la plus proche de la face d'extrémité d'émission de lumière. Dans un tel dispositif laser semi-conducteur, la distribution de densité de support dans la couche active opposée à la partie de crête striée peut être appropriée à la distribution d'intensité de lumière et, par conséquent, l'instabilité du mode transversal provoquée par la combustion du trou spatial et la dégradation de la caractéristique de rendement élevé provoquée par la diminution du gain peuvent être prévenues.
(JA)  本発明は、端面反射率の異なる半導体レーザ装置(10)において、ストライプ状リッジ部(107a)上に配置される電極を、4つの電極部(1),(2),(3),(4)からなる4分割構造とし、光出射端面側に近い電極部ほどその注入電流が大きくなるようにしたものである。  このような半導体レーザ装置によれば、ストライプ状リッジ部に対向する活性層内でのキャリア密度分布を、その光強度分布に適した分布とすることができ、これにより空間的ホールバーニングにより発生する横モードの不安定化や利得の低下による高出力特性の劣化を防止することができる。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
EP1710876JPWO2005062433US20070165685JP4701086CN1886875