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1. (WO2005062393) DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS A SEMI-CONDUCTEURS, EMBASES ET PROCEDES DE PRODUCTION CORRESPONDANTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2005/062393 N° de la demande internationale : PCT/US2004/039619
Date de publication : 07.07.2005 Date de dépôt international : 24.11.2004
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 28.02.2006
CIB :
H01L 25/16 (2006.01) ,H01L 29/22 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01) ,H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/323 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16
les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
22
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
30
Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
32
comprenant des jonctions PN, p.ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
323
dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
Déposants :
CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, NC 27703, US (AllExceptUS)
KELLER, Bernd [US/US]; US (UsOnly)
IBBETSON, James [US/US]; US (UsOnly)
ANDREWS, Peter, S. [US/US]; US (UsOnly)
NEGLEY, Gerald, H. [US/US]; US (UsOnly)
HILLER, Norbert [DE/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
KELLER, Bernd; US
IBBETSON, James; US
ANDREWS, Peter, S.; US
NEGLEY, Gerald, H.; US
HILLER, Norbert; US
Mandataire :
MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428 Raleigh, North Carolina 27627, US
GLATZ, Robert W. ; MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A. P.O. Box 37428 Raleigh, NC 27627, US
Données relatives à la priorité :
60/528,05409.12.2003US
null12.11.2004US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICES AND SUBMOUNTS AND METHODS FOR FORMING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS A SEMI-CONDUCTEURS, EMBASES ET PROCEDES DE PRODUCTION CORRESPONDANTS
Abrégé :
(EN) A submount for a semiconductor light emitting device (12) includes a semiconductor substrate (14) having a cavity (16) therein configured to receive the light emitting device (12). A first bond pad (22A) is positioned in the cavity to couple to a first node of a light emitting device received in the cavity. A second bond pad (22B) is positioned in the cavity to couple to a second node of a light emitting device positioned therein. Light emitting devices including a solid wavelength conversion member (32) and methods for forming the same are also provided.
(FR) L'invention concerne une embase de dispositif électroluminescente à semi-conducteurs, qui comprend un substrat de semi-conducteurs comportant une cavité configurée dedans, de manière à loger le dispositif électroluminescent. Un premier plot de connexion est positionné dans ladite cavité, afin d'assurer le couplage avec un premier noeud du dispositif électroluminescent logé dans la cavité. Un second plot de connexion est positionné dans la cavité, afin d'assurer le couplage avec un second noeud du dispositif électroluminescent positionné dedans. L'invention concerne également des dispositifs électroluminescents comprenant un élément de conversion de longueur d'ondes solide, ainsi que des procédés de production correspondants.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020070041663EP1692729JP2007535130CN1930695CA2547832IN2517/DELNP/2006